二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

题目

二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

  • A、为零
  • B、硅管0.7V，锗管0.3V
  • C、等于电路电压
  • D、电压不变
相似考题

1.二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

2.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

3.二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变

4.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

更多“二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。”相关问题

  • 第1题：

    二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第2题：

    硅二极管导通后的管压降是（）伏。


    正确答案:0.7

  • 第3题：

    当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。

    • A、死区
    • B、截止
    • C、导通
    • D、击穿

    正确答案:B

  • 第4题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第5题：

    从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

    • A、0
    • B、死区电压
    • C、反向击穿电压
    • D、正向压降

    正确答案:B

  • 第6题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第7题：

    稳压二极管外加正偏电压时处于（）状态。

    • A、导通
    • B、截止
    • C、放大

    正确答案:A

  • 第8题：

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

  • 第9题：

    二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。


    正确答案:导通；闭合

  • 第10题：

    问答题
    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

    正确答案： 若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏？

    正确答案： 2V左右。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。

    正确答案： 反向,正向
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。

    • A、导通
    • B、截止
    • C、电击穿
    • D、热击穿

    正确答案:B

  • 第14题：

    二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）


    正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

  • 第15题：

    对于二极管而言，只有外加电压的方向于内电场方向相同时处于导通状态反之处于截止状态。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第17题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第18题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第19题：

    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。


    正确答案:0.2V；0.1V

  • 第20题：

    绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏？


    正确答案: 2V左右。

  • 第21题：

    单选题
    若将二极管正极与电源负极相连，二极管负极与电源正极相连，二极管处于（）。
    A

    截止状态

    B

    导通状态

    C

    关闭状态

    D

    以上答案都不对


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

    正确答案： 0.2V,0.1V
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

相关内容