二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变

题目

二极管导通状态描述错误的是（）

  • A、锗二极管的导通电压为0.3V左右
  • B、硅二极管的导通电压为0.6V左右
  • C、二极管导通后，其导通电流不变
  • D、二极管导通后，其导通电压不变
相似考题

1.二极管的单向导电性是指:()A、外加正向电压导通，加反向电压截止。B、外加正向电压截止，加反向电压导通。C、外加正向电压导通，加反向电压导通。

2.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

3.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

4.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

参考答案和解析
正确答案:D
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  • 第1题：

    二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。

    A.0.2
    B.0.4
    C.0.5
    D.0.7

    答案：A
    解析：

  • 第2题：

    当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。

    • A、导通；导通
    • B、导通；截止
    • C、截止；导通
    • D、截止；截止

    正确答案:B

  • 第3题：

    硅二极管两端加上正向电压时（）。

    • A、立即导通
    • B、若超过0.3V才导通
    • C、若超过死区电才导道

    正确答案:C

  • 第4题：

    晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。


    正确答案:正反；反向；0.7V；0.2V

  • 第5题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第6题：

    二极管两端加上正向电压时（）

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才导通
    • C、超过0.7V才导通
    • D、超过0.3V才导通

    正确答案:B

  • 第7题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第8题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第9题：

    当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。

    • A、正向电压
    • B、正向电流
    • C、正向电极
    • D、正向电路

    正确答案:A

  • 第11题：

    当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

    • A、超过死区电压时才开始导通
    • B、到0.3才开始导通
    • C、立即导通

    正确答案:A

  • 第12题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。

    A.0.2
    B.0.4
    C.0.5
    D.0.7

    答案：D
    解析：

  • 第14题：

    二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V，锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第15题：

    二极管加正向电压就导通。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    半波整流时，二极管实际承受的反向电压的最大值，出现在二极管（）。

    • A、截止时
    • B、导通时
    • C、由截止转导通时
    • D、由导通转截止时

    正确答案:D

  • 第17题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第18题：

    二极管外加（）向电压导通，外加（）向电压截止。


    正确答案:正；反

  • 第19题：

    二极管两端加上正向电压时（）

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才能导通
    • C、超过0.7伏才导通
    • D、超过0.3伏才导通

    正确答案:B

  • 第20题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第21题：

    串流电感式电压型逆变器晶闸管导通角度是（），串流二极管式电流型逆变器晶闸管导通角度是（）。


    正确答案:180°；120°

  • 第22题：

    当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

    • A、立即导通
    • B、到0.3V时才开始导通
    • C、超过死区电压时才开始导通
    • D、不导通

    正确答案:C

  • 第23题：

    单选题
    晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。
    A

    正向电压

    B

    正向电流

    C

    正向电极

    D

    正向电路


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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