问答题半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？

题目
问答题
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
相似考题

1.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

2.在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

3.半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

4.半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）

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  • 第1题：

    半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？


    正确答案: 1.外延
    2.离子注入
    3.热扩散

  • 第2题：

    什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？


    正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少，为提高半导体的导电能力，通常在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称P型半导体。

  • 第3题：

    本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体


    正确答案:错误

  • 第4题：

    N型半导体中的自由电子是（）形成的。

    • A、掺杂
    • B、能量击发
    • C、掺杂与能量击发

    正确答案:C

  • 第5题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第6题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第7题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第8题：

    半导体有三个主要特征（）、（）和掺杂特征。


    正确答案:光敏特征；热敏特征

  • 第9题：

    在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型
    • D、V型

    正确答案:B

  • 第10题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    掺杂在半导体生产中的作用有哪些？

    正确答案： 形成PN结；
    形成电阻；
    形成欧姆接触；
    形成双极型有源器件的基区、发射区、集电区、MOS管的源、漏区；形成电桥作互连线。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？

    正确答案： 深能级：
    1）可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命；
    2）可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率；
    3）可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    以下掺杂半导体中属于n型的是（）

    • A、In掺杂的Ge
    • B、As掺杂的Ge
    • C、InSb中，Si占据Sb的位置
    • D、GaN中，Mg占据Ga的位置

    正确答案:B

  • 第14题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第15题：

    下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）

    • A、In掺杂的Ge
    • B、As掺入Ge
    • C、As掺入Si
    • D、InSb中，Si占据Sb的位置
    • E、GaN中，Mg占据Ga的位置

    正确答案:B,C

  • 第16题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第17题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第18题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第19题：

    在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型

    正确答案:B

  • 第20题：

    下列物质中载流子最多的是（）。

    • A、本征半导体
    • B、掺杂半导体
    • C、导体
    • D、绝缘体

    正确答案:C

  • 第21题：

    单选题
    微传感器的加工工艺不包括（）。
    A

    光刻技术

    B

    HARQ技术

    C

    半导体掺杂技术

    D

    LIGA技术


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？

    正确答案： 扩散和离子注入
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    名词解释题
    半导体掺杂

    正确答案： 本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。
    解析： 暂无解析

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