半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

题目

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

相似考题

1.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

2.在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

3.半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A、氧化B、改变导电类型C、涂层D、改变材料性质E、镀膜

4.下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体

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  • 第1题：

    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:空穴；五价；N；电子

  • 第2题：

    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）

    • A、 温度越高，掺杂越快
    • B、 温度越低，掺杂越快
    • C、 温度恒定，掺杂最快
    • D、 掺杂快慢与温度无关

    正确答案:A

  • 第3题：

    本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体


    正确答案:错误

  • 第4题：

    在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

  • 第5题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第6题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第7题：

    下列物质中载流子最多的是（）。

    • A、本征半导体
    • B、掺杂半导体
    • C、导体
    • D、绝缘体

    正确答案:C

  • 第8题：

    填空题
    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

    正确答案： 空穴,五价,N,电子
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    （）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。

    正确答案： 热扩散,离子注入,P,As,B,Zn,Si
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？

    正确答案： 深能级：
    1）可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命；
    2）可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率；
    3）可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。

    正确答案： 中性原子注入,二次电子效应,相同荷质比离子的注入,N2+
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？


    正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少，为提高半导体的导电能力，通常在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称P型半导体。

  • 第14题：

    对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

    • A、离子注入
    • B、溅射
    • C、淀积
    • D、扩散

    正确答案:D

  • 第15题：

    半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）

    • A、In掺杂的Ge
    • B、As掺入Ge
    • C、As掺入Si
    • D、InSb中，Si占据Sb的位置
    • E、GaN中，Mg占据Ga的位置

    正确答案:B,C

  • 第17题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第18题：

    在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型

    正确答案:B

  • 第19题：

    在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

    • A、W型
    • B、N型有P型
    • C、U型
    • D、V型

    正确答案:B

  • 第20题：

    单选题
    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）
    A

     温度越高，掺杂越快

    B

     温度越低，掺杂越快

    C

     温度恒定，掺杂最快

    D

     掺杂快慢与温度无关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。
    A

    本征半导体

    B

    金属

    C

    化合物半导体

    D

    掺杂半导体


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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