名词解释题增强型NMOS管

题目
名词解释题
增强型NMOS管
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1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

3.场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

4.()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型

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  • 第1题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第2题：

    什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
     

  • 第3题：

    增强型NMOS管


    正确答案:栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管，称为增强型NMOS管。

  • 第4题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    增强型场效应管中，用Vt表示（）电压。


    正确答案:开启

  • 第6题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第7题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第8题：

    填空题
    MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

    正确答案： MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压,正,负
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？

    正确答案： 因为NMOS管的导电沟道是由带负电的电子累积而成，而PMOS管的导电沟道是由带正电的空穴累积而成，由于电子的迁移率大约是空穴迁移率的2.5倍，因此NMOS管速度要高于PMOS管。
    如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，从理论上讲，PMOS管的栅宽应是NMOS管的2.5倍。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    名词解释题
    增强型NMOS管

    正确答案： 栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管，称为增强型NMOS管。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
    A

    P阱，P沟

    B

    P阱、N沟

    C

    N阱、N沟

    D

    N阱、P沟


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
    A

    大于零

    B

    等于零

    C

    大于0.7V

    D

    小于零


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

    A.增强型

    B.耗尽型

    C.增强型和耗尽型

    D.以上均不对


    参考答案:C

  • 第14题：

    由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。

    A．CMOS场效应管

    B．PMOS场效应管

    C．NMOS场效应管

    D．二簧继电器


    正确答案：D

  • 第15题：

    耗尽型NMOS管


    正确答案:栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第18题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第19题：

    问答题
    耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

    正确答案： 耗尽型负载nMOS反相器的制造工艺更加复杂，但可以有陡峭的VTC过渡和更好的噪声容限，并且是单电源供电，整体的版图面积也较小。另外，在CMOS电路中使用耗尽型晶体管还能减少漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 应是P阱，N沟道

  • 第22题：

    问答题
    NMOS晶体管可分为哪种类型？

    正确答案： 增强型NMOS和耗尽型NMOS。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？

    正确答案： P型杂质增加、N型杂质降低。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    名词解释题
    耗尽型NMOS管

    正确答案： 栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。
    解析： 暂无解析

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