800±50℃
900±50℃
1000±50℃
1100±50℃
第1题:
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
第2题:
当焦饼中心温度达到()时,焦炭即告成熟。
第3题:
焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
第4题:
测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
第5题:
焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。
第6题:
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
第7题:
用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。
第8题:
焦饼中心温度为900±50℃。
第9题:
标准温度是指机焦侧火道平均温度的控制值,是规定结焦时间内保证焦饼成熟的主要温度指标。
第10题:
第11题:
第12题:
300
600
800
第13题:
焦炉强化生产时,标准温度显著升高,容易造成()等。
第14题:
通常表征焦炭成熟的温度指标是()。
第15题:
一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。
第16题:
测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
第17题:
成熟焦饼中心面上有一条缝称为()。
第18题:
焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
第19题:
最能反映焦炭成熟的温度指标是()。
第20题:
改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。
第21题:
强化生产时,标准温度显著升高,容易造()等。
第22题:
炉顶空间温度
焦饼中心温度
直行温度
横排温度
第23题:
对
错