在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?
第1题:
测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
第2题:
一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。
第3题:
测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
第4题:
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
第5题:
配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
第6题:
焦饼中心温度为900±50℃。
第7题:
正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。
第8题:
第9题:
对
错
第10题:
对
错
第11题:
对
错
第12题:
煤线测量数据小
焦线测量数据小
焦饼中心温度低
炉顶空间温度高
第13题:
焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
第14题:
测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
第15题:
焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。
第16题:
用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。
第17题:
测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
第18题:
改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。
第19题:
以下关于装煤过满的论述正确的是()。
第20题:
对
错
第21题:
对
错
第22题:
第23题: