填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

题目
填空题
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
相似考题

1.利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。A、LEDB、LDC、PIND、APD

2.p-n结具有×××导电性。

3.P-N结是什么？

4.PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。()此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
正确答案： 空穴
解析： 暂无解析
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  • 第1题：

    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。


    正确答案:空穴

  • 第2题：

    半导体陶瓷的物理效应：（）、（）、（）、p-n结


    正确答案:晶界效应（压敏效应、PTC效应）；表面效应；西贝克效应

  • 第3题：

    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。


    正确答案:电子

  • 第4题：

    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、质子
    • D、光子

    正确答案:A

  • 第5题：

    光的（）决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。


    正确答案:波长

  • 第6题：

    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    • A、低于
    • B、等于或大于
    • C、大于
    • D、小于或等于

    正确答案:B

  • 第7题：

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是（）
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

    B

    p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡；

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    光的（）决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。

    正确答案： 波长
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    PN结光生伏特效应（）。
    A

    电子集中的P区

    B

    电子集中的N区结表面

    C

    电子集中的P区表面

    D

    电子集中的N区表面


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

    正确答案： 由于P型半导体中空穴多，而N型半导体中电子多。所以，在P－N结处电子由N区扩散到P区，而空穴则由P区扩散到N区。于是，P区一侧便带负电，而N区一侧则带正电，这样就在P区与N区的分界面两边形成了一定厚度的空间电荷区。在空间电荷区内，载流子一方面在自建场的作用下做漂移运动，另一方面又受热运动的影响而做扩散运动，当达到平衡状态时，这两种运动便趋于动态平衡。整个P－N结的特性都是由于空间电荷区内的载流子的两种相反的漂移运动和扩散运动引起的，当在P－N结两侧加上一个外加电压V的话，则是通过改变载流子的这两种运动的相互大小来影响P－N结的特性的。所以在导出P－N结的I－V特性时，假设全部偏压都降在结空间电荷区是比较合理的。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

    正确答案： 负,正,N,P
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

    正确答案： 大
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    • A、低于
    • B、等于或大于
    • C、大于

    正确答案:B

  • 第14题：

    在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第15题：

    太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。

    • A、耗尽区
    • B、N区
    • C、P-N结
    • D、P区

    正确答案:B

  • 第16题：

    当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）

    • A、P区；N区；升高；降低
    • B、N区；P区；升高；降低
    • C、N区；P区；降低；升高
    • D、P区；N区；降低；升高

    正确答案:B

  • 第17题：

    在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    P-n结的特点：（）、（）、光生伏特效应


    正确答案:单向导电性；整流作用

  • 第19题：

    单选题
    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
    A

    低于

    B

    等于或大于

    C

    大于


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    P-N结是什么？

    正确答案： 将P型和N型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域，称为P-N结。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。

    正确答案： 相反
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负
    A

    P区

    B

    N区

    C

    中间区

    D

    结区


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
    A

    低于

    B

    等于或大于

    C

    大于

    D

    小于或等于


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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