P-N结是什么？

题目

P-N结是什么？

相似考题

1.什么是储粮结露（粮堆结露）、露点温度和结露温差？造成储粮结露的原因是什么？

2.p-n结具有×××导电性。

3.在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

4.LED的发光波长是由形成P－N结的半导体材料决定的,请问首先被制造出来的是什么样的LED?()A、红光LEDB、绿光LEDC、蓝光LEDD、黄光LED

更多“P-N结是什么？”相关问题

  • 第1题：

    一块完整的半导体一部份是（）型，另一部份是（）型的。在两部份相结合的地方，会形成一个叫做P-N结的（）。


    正确答案:N；P；特殊薄层

  • 第2题：

    半导体陶瓷的物理效应：（）、（）、（）、p-n结


    正确答案:晶界效应（压敏效应、PTC效应）；表面效应；西贝克效应

  • 第3题：

    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。


    正确答案:电子

  • 第4题：

    光的（）决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。


    正确答案:波长

  • 第5题：

    下列温度传感器不属于非接触式温度传感器的是（）

    • A、亮度式温度传感器
    • B、比色式温度传感器
    • C、P-N结温度传感器
    • D、全幅射温度传感器

    正确答案:C

  • 第6题：

    什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？


    正确答案: P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。
    PN结最基本的特性是单向导电性。

  • 第7题：

    P-n结的特点：（）、（）、光生伏特效应


    正确答案:单向导电性；整流作用

  • 第8题：

    填空题
    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

    正确答案： 空穴
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    光生伏特效应是光照引起P-N结两端产生电动势的效应。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    P-N结是什么？

    正确答案： 将P型和N型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域，称为P-N结。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。

    正确答案： 共同点：由载流子进行电流传导。
    不同点：p-n结由少数载流子来进行电流传导；肖特基结的主要传导机制是半导体中多数载流子的热电子发射越过电势势垒而进入金属中。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
    A

    低于

    B

    等于或大于

    C

    大于

    D

    小于或等于


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    • A、低于
    • B、等于或大于
    • C、大于

    正确答案:B

  • 第14题：

    在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第15题：

    关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）

    • A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
    • B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
    • C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
    • D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

    正确答案:C

  • 第16题：

    在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    什么是PN结？PN结的主要特性是什么？


    正确答案:将P型半导体和N型半导体做在同一个基片上，使得P型半导体和N型半导体之间形成一个交界面，由于两种 半导体中载流子种类和浓度的差异，将产生载流子的相 对扩散运动，多数载流子在交界面处被中和而形成一个 空间电荷区，这就是PN结。
    PN结的主要特性是单向导电性。

  • 第18题：

    用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    • A、低于
    • B、等于或大于
    • C、大于
    • D、小于或等于

    正确答案:B

  • 第19题：

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是（）
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

    B

    p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡；

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

    正确答案： P-N结隔离,介质隔离,沟槽隔离,低密度、低成本,介质,局部氧化（LOCOS）
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

    正确答案： 由于P型半导体中空穴多，而N型半导体中电子多。所以，在P－N结处电子由N区扩散到P区，而空穴则由P区扩散到N区。于是，P区一侧便带负电，而N区一侧则带正电，这样就在P区与N区的分界面两边形成了一定厚度的空间电荷区。在空间电荷区内，载流子一方面在自建场的作用下做漂移运动，另一方面又受热运动的影响而做扩散运动，当达到平衡状态时，这两种运动便趋于动态平衡。整个P－N结的特性都是由于空间电荷区内的载流子的两种相反的漂移运动和扩散运动引起的，当在P－N结两侧加上一个外加电压V的话，则是通过改变载流子的这两种运动的相互大小来影响P－N结的特性的。所以在导出P－N结的I－V特性时，假设全部偏压都降在结空间电荷区是比较合理的。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    简述P-N节形成的机理

    正确答案： 对于由p型半导体和n型半导体构成的材料，在p型半导体和n型半导体相互接触的区域，电子自发地往p区运动，空穴自发地往n区运动，热激活产生的平衡载流子自发地在p型半导体和n型半导体接触区构建了一个由n区指向p区的电场，即形成了一个空间电荷区。这样，半导体材料就由p型逐渐过渡到n型
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    光的（）决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。

    正确答案： 波长
    解析： 暂无解析

相关内容