单选题DR探测器的主要结构为（　　）。A 导电层和保护层B 顶层电极、电介层和高压电源C 硒层和集点矩阵层D 玻璃衬底层和输入/输出电路E 硒层和高压电源

题目
单选题
DR探测器的主要结构为（　　）。
A

导电层和保护层

B

顶层电极、电介层和高压电源

C

硒层和集点矩阵层

D

玻璃衬底层和输入/输出电路

E

硒层和高压电源

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1.关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR

2.DR使用的检测装置是A.影像板B.影像增强器C.平板探测器D.电离室SXDR使用的检测装置是A.影像板B.影像增强器C.平板探测器D.电离室E.光电管

3.DR结构包括（）A、探测器B、影像处理器C、图像显示器D、成像板

4.目前DR设备选用的探测器主要有A、非晶硒B、非晶硅C、CCDD、CDE、TFT

更多“DR探测器的主要结构为（　　）。”相关问题

  • 第1题：

    关于CR、DR说法不正确的为（）。

    • A、均是将模拟量转换为数字量
    • B、DR信噪比比CR高
    • C、DR没有搬运IP的环节，减少故障诱发率
    • D、DR探测器像素尺寸都比CR探测器像素尺寸大
    • E、CR在价格上一般要比DR便宜

    正确答案:D

  • 第2题：

    DR探测器可用的是（）


      正确答案:E

    • 第3题：

      根据平板探测器的类型，数字化X线摄影系统（DR）分为哪几种？


      正确答案: （1）直接数字化X线成像（DDR）：为非品硒平板探测器。
      （2）间接数字化X线成像（IDR）：为非晶硅平板探测器。
      （3）CCD｜X线成像：为电荷耦合器件（CCD.探测器，多用于DSA和胃肠X线机。
      （4）多丝正比电离室X线成像：它的探测器由多丝正比电离室和数据采集系统组成，无需模／数转换器，主要用于胸部X线摄影。

    • 第4题：

      根据探测器的不同DR可分为：（）、（）、（）和（）四种。


      正确答案:非晶硒平板探测器；非晶硅平板探测器；多丝正比室扫描型；CCD摄像机型

    • 第5题：

      DR摄影和CR摄影相比，不同点为（）

      • A、都为数字化摄影
      • B、CR摄影需要影像板
      • C、都可以进行多种后处理
      • D、DR不需要平板探测器
      • E、CR辐射剂量低于传统X线摄影

      正确答案:B

    • 第6题：

      填空题
      根据探测器的不同DR可分为：（）、（）、（）和（）四种。

      正确答案： 非晶硒平板探测器,非晶硅平板探测器,多丝正比室扫描型,CCD摄像机型
      解析： 暂无解析

    • 第7题：

      问答题
      根据平板探测器的类型，数字化X线摄影系统（DR）分为哪几种？

      正确答案： （1）直接数字化X线成像（DDR）：为非品硒平板探测器。
      （2）间接数字化X线成像（IDR）：为非晶硅平板探测器。
      （3）CCD｜X线成像：为电荷耦合器件（CCD.探测器，多用于DSA和胃肠X线机。
      （4）多丝正比电离室X线成像：它的探测器由多丝正比电离室和数据采集系统组成，无需模／数转换器，主要用于胸部X线摄影。
      解析： 暂无解析

    • 第8题：

      单选题
      岛津DR采用无线平板探测器品牌是（）
      A

      岛津

      B

      奕瑞

      C

      佳能

      D

      富士


      正确答案： C
      解析： 暂无解析

    • 第9题：

      多选题
      DR成像设备类型包括（）。
      A

      非晶硒平板型探测器

      B

      非晶硅平板探测器型

      C

      IP成像方式

      D

      多丝正比室扫描投影DR

      E

      CCD摄像机型DR


      正确答案： D,A
      解析： 暂无解析

    • 第10题：

      单选题
      目前最常用的DR系统为（　　）。
      A

      CsI＋CCD阵列

      B

      非晶硅平板探测器

      C

      非晶硒平板探测器

      D

      多丝正比电离室

      E

      计算机X线摄影


      正确答案： B
      解析： 暂无解析

    • 第11题：

      单选题
      属于DR成像间接转换方式的部件是（）
      A

      增感屏

      B

      非晶硒平板探测器

      C

      多丝正比电离室

      D

      碘化色+非晶硅探测器

      E

      半导体狭缝线阵探测器


      正确答案： D
      解析： 暂无解析

    • 第12题：

      单选题
      DR探测器的主要结构为（　　）。
      A

      导电层和保护层

      B

      顶层电极、电介层和高压电源

      C

      硒层和集点矩阵层

      D

      玻璃衬底层和输入/输出电路

      E

      硒层和高压电源


      正确答案： B
      解析：
      探测器主要由导电层、电介层、硒层、顶层电极和集点矩阵层、玻璃衬底层、保护层以及高压电源和输入/输出电路所组成，其中硒层和集点矩阵层是主要结构。

    • 第13题：

      属于DR成像间接转换方式的部件是（）

      • A、增感屏
      • B、非晶硒平板探测器
      • C、碘化铯+非晶硅探测器
      • D、半导体狭缝线阵探测器
      • E、多丝正比电离室

      正确答案:C

    • 第14题：

      DR成像设备类型包括（）。

      • A、非晶硒平板型探测器
      • B、非晶硅平板探测器型
      • C、IP成像方式
      • D、多丝正比室扫描投影DR
      • E、CCD摄像机型DR

      正确答案:A,B,D,E

    • 第15题：

      DR使用的探测器装置是（）

      • A、影像板
      • B、影像增强器
      • C、平板探测器
      • D、电离室
      • E、光电管

      正确答案:C

    • 第16题：

      简述平板型探测器的主要结构及工作原理。


      正确答案: ⒈荧光屏结构它由非晶硒和薄膜晶体管构成阵列板。阵列板的每一个单元包含一个存储电容和非晶硅的场效应管。由于非晶硒是一种光电导材料，照相前先给阵列板一个1KV～5KV的电压，电压加在接触板上使非晶硒层带上一层电荷，接受X射线照射时，由于非晶硒的光电导，电阻发生改变，使其下面薄膜晶体管层的电容充电，相应产生电荷的变化从而得到图像信号电流，进而形成数字化图像。
      ⒉闪烁体结构为了减少散射线的影响，工艺制造中，在薄膜晶体管上加一层非晶硅镀膜，再在上面加一层针状排列的掺以铊的碘化铯闪烁体，提高影像的清晰度。X射线穿过反射层，激发出可见光子。可见光传递到光电三极管，触发场效应三极管产生输出信号进而形成数字化图像。

    • 第17题：

      关于DR的描述，正确的是（　）

      • A、DR图像与传统X线图像不同，分析的方法也不同
      • B、部分传统X线摄影的部位不能用DR成像
      • C、DR的探测器寿命短
      • D、DR的密度分辨力高于普通X线片
      • E、DR系统不能进行透视检查

      正确答案:D

    • 第18题：

      判断题
      移动DR240和220平板探测器可以互换
      A

      对

      B

      错


      正确答案： 对
      解析： 暂无解析

    • 第19题：

      单选题
      关于对DR的叙述，其错误的是（）
      A

      硒探测器的MTF比CsI闪烁晶体探测器的MTF好

      B

      硒探测器的DQE比CsI闪烁晶体探测器的DQE好

      C

      小的像素尺寸可以获得更高的空间分辨力

      D

      DR的成像速度比CR快

      E

      探测器的噪声主要是探测器电子学噪声和X射线图像量子噪声


      正确答案： A
      解析： 暂无解析

    • 第20题：

      单选题
      DR使用的探测器装置是（）
      A

      影像板

      B

      影像增强器

      C

      平板探测器

      D

      电离室

      E

      光电管


      正确答案： B
      解析： 暂无解析

    • 第21题：

      单选题
      DR探测器可用的是（）
      A

      BaFBr：Eu

      B

      NaSO·SHO

      C

      NaCO

      D

      CHCOOH

      E

      a-Se


      正确答案： E
      解析： 暂无解析

    • 第22题：

      单选题
      下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。
      A

      闪烁体

      B

      非晶硒平板探测器

      C

      CCD摄像机阵列

      D

      碘化铯＋非晶硅探测器

      E

      半导体狭缝线阵列探测器


      正确答案： B
      解析：
      DR成像的转换方式：①直接转换方式包括：直接转换平板探测器（非晶硒）；多丝正比电离室狭缝扫描方式或半导体狭缝扫描方式。②间接转换方式包括：间接转换平板探测器（碘化铯＋非晶硅，或使用硫氧化钆/铽）；闪烁体＋CCD摄像机阵列。

    • 第23题：

      多选题
      目前DR设备选用的探测器主要有（）。
      A

      非晶硒

      B

      非晶硅

      C

      CCD

      D

      CD

      E

      TFT


      正确答案： A,C
      解析： 目前DR设备选用的探测器主要是：非晶硒、非晶硅、CCD三种。TFT是非晶硅探测器内部的一种工艺部件，CD是一种存储介质。

    • 第24题：

      单选题
      关于CR、DR说法不正确的为（）。
      A

      均是将模拟量转换为数字量

      B

      DR信噪比比CR高

      C

      DR没有搬运IP的环节，减少故障诱发率

      D

      DR探测器像素尺寸都比CR探测器像素尺寸大

      E

      CR在价格上一般要比DR便宜


      正确答案： C
      解析： 暂无解析

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