A、非晶硒
B、非晶硅
C、CCD
D、CD
E、TFT
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
关于DR的描述,不正确的是( )。
A、较CR拍片速度快
B、探测器寿命长
C、容易与原X线设备匹配
D、信噪比高
E、曝光量小
第3题:
下列哪项不是DR探测器的类型?
A.电离室探测器
B.光电二极管管探测器
C.半导体平板探测器
D.CCD式平板探测器
E.增感屏
第4题:
关于DR的描述,下列哪项是错误的
A.较CR成像速度快
B.探测器寿命长
C.曝光量小
D.可透视
E.容易与原X线设备匹配
第5题: