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第1题：
测试校准原则：多晶对多晶，单晶对单晶
正确答案:正确 -
第2题：
多晶体内晶界越多，多晶体的（）越大。
正确答案:变形抗力 -
第3题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。 -
第4题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅） -
第5题：
同质多晶
正确答案:同质多晶是指物质的化学组成相同而晶体结构不同的一种现象。同质多晶物在熔化后可生成相同的液相。 -
第6题：
玛瑙是一种具有条带构造的二氧化硅（）集合体。
- A、显晶质
- B、隐晶质
- C、非晶质
- D、多晶质
正确答案:B -
第7题：
某物质可生成两种或两种以上的晶体，这种现象叫做类质多晶现象。
正确答案:错误 -
第8题：
名词解释题多晶质正确答案： 由许多小晶体组成的矿物材料或岩石，不具整体的外部晶型（我国宝石界把多晶质的宝石叫玉石。）解析： 暂无解析 -
第9题：
多选题翡翠是（）A玉石
B多晶质宝石
C广义的宝石
D最珍贵的玉石
E晶体宝石
正确答案： B,D解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度
B多晶硅中两个引线孔中心点的距离
C多晶硅中两个引线孔内侧的距离
D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题衍射仪法中的试样形状是（）。A丝状粉末多晶；
B块状粉末多晶；
C块状单晶；
D任意形状。
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题下列选项烧结的推动力是（）A粉末物料的表面能等于多晶烧结体的界面能
B粉末物料的表面能大于多晶烧结体的界面能
C粉末物料的表面能小于多晶烧结体的界面能
D粉末物料的表面能不小于多晶烧结体的界面能
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第13题：
多晶质
正确答案:内部原子结构作有序排列，但不具外部规则的几何形态，它们由无数的微晶组成，但这些微晶是如此之小，以致于用普通显微镜都无法观察到，也就是说是超显微的，这些矿物称隐晶质，如玉髓、软玉等。 -
第14题：
多晶型
正确答案: 有些固态金属在不同的温度和压力下具有不同的晶体结构，即具有多晶型，转变产物为同素异形体。 -
第15题：
翡翠并不是指某一种矿物，而是由许多不同种类的矿物组成的多晶质宝石。
正确答案:正确 -
第16题：
多孔质烧结体敏感元件与厚膜敏感元件都是（）。
- A、多晶体结构
- B、单晶体结构
- C、非晶体结构
- D、金属氧化物结构
正确答案:A -
第17题：
同质多晶现象
正确答案: 由同种物质形成多种不同晶体的现象。 -
第18题：
形成不平坦断口的原因有：（）
- A、发育的解理
- B、多晶集合体
- C、发育的裂理
- D、隐晶质多晶集合体
正确答案:A,B,C -
第19题：
单选题可逆多晶转变是一种同质多晶现象，多晶转变温度（）两种晶型的熔点。A低于
B高于
C等于
DA或B
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第20题：
名词解释题同质多晶与多晶转变正确答案： 同质多晶：同一化学组成在不同外界条件下（温度、压力、pH值等），结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变：当外界条件改变到一定程度时，各种变体之间发生结构转变，从一种变体转变成为另一种变体的现象。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？正确答案： 轻掺杂解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题翡翠并不是指某一种矿物，而是由许多不同种类的矿物组成的多晶质宝石。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。正确答案： 采用LPCVD工具；
1.通过掺杂可得到特定的电阻；
2.和二氧化硅优良的界面特性；
3.和后续高温工艺的兼容性；
4.比金属电极更高的可靠性；
5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；
6.实现栅的自对准工艺。解析： 暂无解析 -
第24题：
单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A第一层多晶硅的面积
B第二层多晶硅的面积
C二层多晶硅重叠后的面积
正确答案： A解析： 暂无解析