参考答案和解析
正确答案：
图形曝光和图形蚀刻。
解析：
暂无解析
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第1题：
简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。 -
第2题：
什么是纳米光刻？
正确答案: 是纳米技术的分支，为纳米级结构的制造，意指图案至少一个尺度的尺寸在单个原子与约100nm之间。纳米光刻主要运用在前沿半导体集成电路（纳米电路）或纳米机电系统（NEMS）的制造中。 -
第3题：
试述光刻加工的主要阶段？
正确答案: 光刻加工可分为两个加工阶段，第一阶段为原版制作，生成工作原版或工作掩膜，为光刻加工时用；第二阶段为光刻。 -
第4题：
选择性液体固化方法包括（）。
- A、立体光刻
- B、喷墨印刷
- C、实体磨固化
- D、激光光刻
- E、选择性激光烧结
正确答案:A,C,D -
第5题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。正确答案： 1.极紫外光刻技术（EUV）
2.离子束投影光刻技术（IPL）
3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）
4.X射线光刻技术解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。正确答案： 正性光刻,负性光刻胶,正性光刻胶解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？正确答案： 光刻（photolithography）就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。
光刻系统的主要指标包括分辨率R（resolution）、焦深（depth of focus，DOF）、对比度（CON）、特征线宽（critical dimension，CD）控制、对准和套刻精度（alignment and overlay）、产率（throughout）以及价格。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？正确答案： 因为光刻在IC制造中
①占芯片制造时间的40 to 50%
②占芯片制造成本的1/3
③决定芯片的最小特征尺寸
光刻三要素：
①光刻机
②光刻版（掩膜版）
③光刻胶解析： 暂无解析 -
第13题：
光刻
正确答案: 图形曝光和图形蚀刻。 -
第14题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E -
第15题：
光刻技术
正确答案: 光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图像印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。光刻工艺的基本过程包括涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶。 -
第16题：
简述光盘制作的光刻。
正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。 -
第17题：
问答题什么叫做光刻，光刻有何目的？正确答案： 定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。正确答案： 436nm,365nm,248nm,193nm解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？正确答案： 负光刻胶解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？正确答案： •正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。
•负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。
正性光刻
优点：较高的固有分辨率、较强的抗干法腐蚀能力、抗热处理能力、良好的台阶覆盖
缺点：粘附性差、抗湿法腐蚀能力差、成本高
负性光刻：
优点：对环境因素不灵敏、很高的感光速度、极好的粘附性和腐蚀能力、成本低
缺点：分辨率较低解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题什么是负性光刻？正性光刻？正确答案： 负性光刻：把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片上。
正性光刻：把与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片上。两种工艺的区别：所用光刻胶不同。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？正确答案： 需要六次光刻
第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
第二次—P+隔离扩散孔光刻；
第三次—P型基区扩散孔光刻；
第四次—N+发射区扩散孔光刻；
第五次—引线接触孔光刻；
第六次—金属化内连线光刻。解析： 暂无解析 -
第24题：
判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析