判断题蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。A 对B 错

题目
判断题
蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。
A

对

B

错

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1.一般温度升高,化学反应速率加快。如果活化能越大,则反应速率受温度的影响也越大。()此题为判断题(对，错)。

2.晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。

3.所有蚀刻工具要么是针嘴的，要么是平刃的。但是，有些平刃的蚀刻工具用于雕刻，有些不是。另一方面，所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此，用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真，能合乎逻辑地得出上述论证的结论？（）A、大部分平刃的蚀刻工具不是用来雕刻的。B、所有不用于雕刻的蚀刻工具都是平刃的。C、针嘴的蚀刻工具与平刃的蚀刻工具一样多。D、没有蚀刻工具既是针嘴的，又是平刃的。

4.温度对反应速率的影响（）。A、反应速率常数随温度升高而很快增大B、温度升高只影响正向反应速率C、阿累尼乌斯公式反映了浓度对反应速率的影响D、化学反应速率常数不随温度变化

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  • 第1题：

    判断题
    蚀刻液中只需要含有氯化铜即可达到理想蚀刻要求。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第2题：

    单选题
    鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。
    A

    鼓泡式蚀刻液的酸性更强

    B

    鼓泡式蚀刻通入空气

    C

    鼓泡式蚀刻液的酸性更强

    D

    鼓泡式蚀刻通入氧气


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第3题：

    单选题
    用来衡量侧蚀量的大小程度的选项为（）。
    A

    蚀刻系数

    B

    蚀刻速率

    C

    溶铜量

    D

    镀层增宽


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第4题：

    判断题
    酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    判断题
    碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时，蚀刻速率慢，溶液稳定性差。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    多选题
    在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。
    A

    传送速度太慢

    B

    pH值过高

    C

    蚀刻液比重偏低

    D

    蚀刻液温度不足


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    在印制板的蚀刻操作中，希望有较高的蚀刻系数。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有（）。
    A

    蚀刻速率快

    B

    蚀刻速率比较容易控制

    C

    溶铜量大

    D

    再生容易


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    碱性氯化铜的蚀刻液密度太低，会加大侧蚀量，这是因为（）。
    A

    蚀刻液的密度太低，造成温度过低，反应速度过慢

    B

    蚀刻液的密度太低，溶液中的二价铜离子含量偏低

    C

    蚀刻液的密度太低，即溶液的pH值太低

    D

    蚀刻液的密度太低，溶液中的氯化铵含量太少


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。
    A

    等离子体蚀刻系统的形态

    B

    等离子体蚀刻的参数

    C

    光刻胶

    D

    待蚀刻薄膜的淀积参数条件


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    判断题
    能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第14题：

    填空题
    蚀刻技术可分为（）和干蚀刻两类。

    正确答案： 湿蚀刻
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  • 第15题：

    多选题
    广义而言，所谓的蚀刻技术可以分为（）。
    A

    干蚀刻

    B

    湿蚀刻

    C

    中性蚀刻

    D

    无侧蚀蚀刻


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    单选题
    通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液（）。
    A

    浸泡式蚀刻

    B

    鼓泡式蚀刻

    C

    泼溅式蚀刻

    D

    喷淋式蚀刻


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    判断题
    酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    填空题
    碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成，其解决方式为（）。

    正确答案： 调高喷淋压力
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    多选题
    蚀刻液的种类有（）。
    A

    酸性蚀刻液

    B

    碱性蚀刻液

    C

    中性蚀刻液

    D

    不知道


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    碱性氯化铜蚀刻液pH值过低，氮水浓度太低，蚀刻速率变慢。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。
    A

    传送速度太快

    B

    pH值太低

    C

    蚀刻液温度不足

    D

    喷淋压力不足


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在印制板上形成导电图形的一般技术方式为（）。
    A

    湿蚀刻

    B

    干蚀刻

    C

    浅蚀刻

    D

    深蚀刻


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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