填空题免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收注入电荷的（）； 4. （）； 5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。

题目
填空题
免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收注入电荷的（）； 4. （）； 5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。
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1.PLC的输出接口有多种类型，根据开关频率由低到高排序正确的是（）A、继电器接口、晶体管接口、晶闸管接口B、晶体管接口、晶闸管接口、继电器接口C、继电器接口、晶闸管接口、晶体管接口D、可控硅接口、继电器接口、晶体管接口E、继电器接口、可控硅接口、晶体管接口

2.PLC输出点类型的有主要有哪些（）。A、继电器B、可控硅C、晶体管D、IC驱动电路

3.逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源，主要有可控硅（SCR）逆变弧焊电源、场效应管（MOS）逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）逆变弧焊电源。

4.三菱FX系列PLC（）输出反应速度比较快。A、继电器B、可控硅和继电器C、晶体管和继电器D、晶体管和可控硅

更多“免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收”相关问题

  • 第1题：

    PLC的输出接口有多种类型，可以接不同类型的负载，根据负载能力，负载电流有大到小排列顺序正确的是（）

    • A、继电器接口、晶体管接口、晶闸管接口
    • B、晶体管接口、晶闸管接口、继电器接口
    • C、继电器接口、晶闸管接口、晶体管接口
    • D、可控硅接口、继电器接口、晶体管接口
    • E、继电器接口、可控硅接口、晶体管接口

    正确答案:C,E

  • 第2题：

    写出分属于下列科的校园植物。 李亚科1.（）2.（）3.（） 苹果亚科1.（）2.（）3.（） 绣线菊亚科1.（）2.（） 蔷薇亚科（） 十字花科1.（）2.（） 藜科1.（）2.（） 蓼科（） 堇菜科（） 卫矛科（） 蝶形花科1.（）2.（）3.（）


    正确答案:杏；李；桃；苹果；梨；山楂；珍珠梅；风箱果；玫瑰；独行菜；荠菜；猪毛菜；藜；巴天酸模；早开堇菜；桃叶卫矛；刺槐；紫花苜蓿；披针叶黄华

  • 第3题：

    PLC数字量输出一般有（）两种方式。

    • A、晶体管和可控硅
    • B、可控硅和继电器
    • C、晶体管和继电器
    • D、可控硅和IGBT

    正确答案:C

  • 第4题：

    下列哪个元件不能作为桥式逆变电路中的电子开关（）

    • A、晶体管
    • B、可控硅
    • C、场效应管
    • D、晶闸管
    • E、二极管

    正确答案:E

  • 第5题：

    药物排泄的途径主要有1.肾脏排泄、2.（）、3.乳腺排泄、4.其他。


    正确答案:胆汁排泄

  • 第6题：

    晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    问答题
    对于晶体管来说，降低寄生效应的版图设计技术有哪些？

    正确答案： 尽量减小多晶做导线的长度、采用导电率较好的金属来布线
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

    正确答案： （1）增大基区宽度：由工艺决定；
    （2）使衬底可靠接地或电源。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

    正确答案： 在实际的集成晶体管中存在着点和存储效应和从晶体管有效基区晶体管要引出端之间的欧姆体电阻，他们会对晶体管的工作产生影响。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

    正确答案： 抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：
    ①SOI衬底技术；
    ②大剂量离子注入形成深埋层；
    ③用离子注入产生倒掺杂阱；
    ④硅片表面外延层。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

    正确答案： PNP管为四层三结晶体管的寄生晶体管，当NPN晶体管工作在正向工作区时，即NPN的发射极正偏，集电极反偏，那么寄生晶体管的发射极反偏所以它就截止，对电路没有影响。当NPN处于反向工作区时，寄生管子工作在正向工作区，它的影响不能忽略。当NPN工作在饱和区时寄生晶体管也工作在正向工作区，它减小了集电极电流，使反向NPN的发射极电流作为无用电流流向衬底。此时寄生效应也不能忽略。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列哪个元件不能作为桥式逆变电路中的电子开关（）
    A

    晶体管

    B

    可控硅

    C

    场效应管

    D

    晶闸管

    E

    二极管


    正确答案： A
    解析： 二极管根本就不属于开关元器件。

  • 第13题：

    不得重复使用的食品是1．（）2．（）3．（）


    正确答案:回收的沸腾鱼片汤料；辣子鸡块中拣出的辣椒；回收的火锅汤料

  • 第14题：

    对微波天线总的要求是天线增益高，与馈线匹配良好，波道间寄生耦合小。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    动物细胞的融合方法主要有以下几种1.（）；2.（）；3.（）


    正确答案:病毒诱导融合；化学融合剂诱导融合；电场诱导融合

  • 第16题：

    为克服电容式传感器的边缘效应，可采用（）方法和（） 结构。为消灭寄生电容的影响可采用（）、（）以及采用（）方法。


    正确答案:减小极板厚度；带保护环；驱动电缆法；整体屏蔽法；组合式与集成技术

  • 第17题：

    影响药物吸收的因素包括1.药品的理化性质、2.（）、3.吸收环境。


    正确答案:首关效应

  • 第18题：

    名词解释题
    寄生晶体管击穿

    正确答案： 寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET击穿过程中出现的负阻效应。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？

    正确答案： MOSFET本征电容包括：栅-衬电容CGB；栅-源电容CGS；栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括：栅-源、栅-漏覆盖电容；栅-衬底覆盖电容；源、漏区pn结势垒电容。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种？

    正确答案： 寄生可分以下三类：
    ①与PN结有关的耗尽层势垒电容；
    ②与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容；
    ③电极引线的延伸电极电容
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    影响药物吸收的因素包括1.药品的理化性质、2.（）、3.吸收环境。

    正确答案： 首关效应
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

    正确答案： 当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

    正确答案： MOS晶体管的有源寄生效应是指MOS集成电路中存在的一些不希望的寄生双极晶体管、场区寄生MOS管和寄生PNPN（闩锁效应），这些效应对MOS器件的工作稳定性产生极大的影响。
    解析： 暂无解析

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