非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过()
第1题:
A、非晶硒
B、非晶硅
C、CCD
D、CD
E、TFT
第2题:
直接转换技术的DR,应用的转换介质是()
第3题:
DR成像设备类型包括()。
第4题:
非晶硅-非晶硒-CCD
CCD-非晶硅-非晶硒
非晶硒-非晶硅-CCD
非晶硅-CCD-非晶硒
CCD-非晶硒-非晶硅
第5题:
22℃
27℃
37℃
40℃
50℃
第6题:
非晶硒平板型探测器
非晶硅平板探测器型
IP成像方式
多丝正比室扫描投影DR
CCD摄像机型DR
第7题:
影像板
增感屏
碘化铯
非晶硒
非晶硅
第8题:
非晶硒平扳探测器
碘化铯+非晶硅平扳探测器
利用影像板进行X线摄影
闪烁体+CCD摄像机阵列
硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器
第9题:
非晶硒
非晶硅
CCD
CD
TFT
第10题:
第11题:
属于DR成像直接转换方式的是()
第12题:
非晶硒
碘化铯非晶硅
氧化钆非晶硅
CCD
第13题:
影像板
增感屏
碘化铯
非晶硒
非晶硅
第14题:
非晶硒
碘化铯
钨酸钙
非晶硅
CCD
第15题:
CsI+CCD阵列
非晶硅平板探测器
非晶硒平板探测器
多丝正比电离室
计算机X线摄影
第16题:
非晶硅
非晶硒
碘化铯
成像板
增感屏
第17题:
影像板
增感屏
碘化铯
非晶硒