考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs

题目

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

  • A、15μs
  • B、225μs
  • C、1.5μs
  • D、20μs
相似考题

1.N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。()此题为判断题(对，错)。

2.P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子()此题为判断题(对，错)。

3.计算灰体表面间的辐射传热时，通常需要计算某个表面的冷热量损失q，若已知黑体辐射力为Eb，有效辐射为J，投入辐射为G，正确的计算式是（　　）。A． q=Eb－G B． q=Eb－J C． q=J－G D． q=Eb－G

4.SPV技术就是利用光生伏特效应使太阳的辐射能通过半导体物质间接转变为电能的一种技术。()

更多“考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150”相关问题

  • 第1题：

    在P型半导体中（）为少子.

    • A、自由电子
    • B、正离子
    • C、空穴

    正确答案:A

  • 第2题：

    （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。

    • A、金属辐射式
    • B、热电偶
    • C、半导体9015三极管
    • D、比色计

    正确答案:C

  • 第3题：

    计算题：已知一个电阻是44Ω，使用时通过的电流是5A，试求电阻两端的电压？已知：R＝44Ω、I＝5A求：U


    正确答案: U＝IR＝5×44＝220（V）
    电阻两端的电压为220V。

  • 第4题：

    （）是通过受激辐射产生光的器件。

    • A、发光激光器
    • B、半导体激光器
    • C、半导体二极管
    • D、发光二极管

    正确答案:B

  • 第5题：

    导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。

    • A、辐射复合
    • B、俄歇复合
    • C、通过复合中心复合
    • D、以上三种都可以

    正确答案:D

  • 第6题：

    对半导体而言，其正确的说法是（）

    • A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
    • B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
    • C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
    • D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

    正确答案:C

  • 第7题：

    在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）


    正确答案:电子；空穴；空穴；电子

  • 第8题：

    在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

    • A、掺入杂质的浓度
    • B、材料
    • C、温度

    正确答案:C

  • 第9题：

    名词解释题
    P（N）型半导体的多子、少子

    正确答案： 由于N型半导体中自由电子多于空穴，所以自由电子为N型半导体的多数载流子（多子）；空穴则是N型半导体的少数载流子（少子）。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。
    A

    金属辐射式

    B

    热电偶

    C

    半导体9015三极管

    D

    比色计


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）
    A

    多子---少子---少子；

    B

    少子---多子---多子；

    C

    多子---多子---多子

    D

    少子---少子---少子。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。
    A

    金属辐射式

    B

    热电偶

    C

    半导体三极管

    D

    比色计


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。


    正确答案:自由电子；掺杂；自由电子；本征激发

  • 第14题：

    P（N）型半导体的多子、少子


    正确答案:由于N型半导体中自由电子多于空穴，所以自由电子为N型半导体的多数载流子（多子）；空穴则是N型半导体的少数载流子（少子）。

  • 第15题：

    本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。


    正确答案:三价；空穴；自由电子

  • 第16题：

    （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。

    • A、金属辐射式
    • B、热电偶
    • C、半导体三极管
    • D、比色计

    正确答案:C

  • 第17题：

    在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）

    • A、P型半导体，其少子为自由电子
    • B、N型半导体，其多子为自由电子
    • C、P型半导体，其少子为空穴
    • D、N型半导体，其多子为空穴

    正确答案:B

  • 第18题：

    在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

    • A、少子
    • B、多子
    • C、杂质离子
    • D、空穴

    正确答案:A

  • 第20题：

    在本征半导体中，（）是同时出现的.

    • A、多子和少子
    • B、正离子和负离子
    • C、自由电子和空穴

    正确答案:C

  • 第21题：

    问答题
    LED是通过自发辐射过程发光的器件，与通过受激辐射发光的半导体激光器相比，其优缺点是什么？

    正确答案： LED是通过自发辐射过程发光的器件，与通过受激辐射发光
    的半导体激光器相比，其不同之处在于：
    结构简单；
    价格低廉；
    可靠性高。
    但其不足之处在于：
    响应速度低；
    输出功率小；
    输出频谱宽。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

    正确答案： 电子
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？

    正确答案： 在本征半导体中掺入少量的3价元素，如硼、铝或铟，有3个价电子，形成共价键时，缺少1个电子，产生1个空位。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。在本征半导体中掺入少量的5价元素，如磷、砷或锑，有5个价电子，形成共价键时，多余1个电子。电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
    解析： 暂无解析

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