P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子()此题为判断题(对，错)。

第1题：

2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）

A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

第2题：

N型半导体中少子为空穴，多子为自由电子。

第3题：

N型半导体中，多子是自由电子，少子是空穴。

第4题：

10、P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

第5题：

P型半导体的少子是自由电子，多子是空穴。