简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
题目
简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
相似考题
参考答案和解析
正确答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。
2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。
2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。
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第1题：
柴油机与气油机在工作原理上的最大区别在于（）
- A、燃料不同
- B、用途不同
- C、发火方式不同
- D、内部燃烧
正确答案:C -
第2题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第3题：
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。 -
第4题：
简述氧化物薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）可见光的透过率较高，可以制备出完全透明的TFT器件，使得显示器的画面更加清晰明亮。
2）电学特性优越，器件的响应速度、载流子迁移率都非常高。
3）禁带宽度比较大，很好地避免了光照对器件性能的影响。
4）薄膜均匀，为大屏幕化的实现提供可靠的保证。
5）制备温度低，在接近室温的条件下也可以生长出高质量的氧化物TFT薄膜。
6）材料和工艺成本较低，可以在廉价的玻璃或柔性塑料上生长，节约了制作成本。
另外，氧化物材料既可以作为TFT的有源层，又可以作为栅极、源漏电极，还可以通过掺杂等手段控制载流子浓度，很好地控制电学特性。 -
第5题：
简述再保险与原保险的不同之处。
正确答案:（1）合同当事人不同（2）合同的客体不同（3）合同的性质不同再保险是保险的一种，但与保险有许多不同之处，其特征表现为：
（一）订立合同的双方当事人都是保险人，一方是再保险分出人，另一方为再保险接受人。
（二）再保险合同中的标的，是再保险分出人所承担的保险赔偿责任，是非物质的。
（三）所有再保险合同，包括人身保险和财产保险，都实行补偿原则。再保险是再保险人与原保险人之间的合同关系，是原保险人将承保的被保险的危险转移给再保险人保险的合同行为，是以原保险合同为基础的独立合同。所以，原保险不存在，再保险即无从成立。
再保险人接受再保险业务，须向原保险人提供履行其义务的保证。方法是由原保险人提存保费准备金，或由再保险人提供信用证明等。再保险与原保险的区别如下：1、主体不同。原保险主体一方是保险人，另一方是投保人与被保险人；再保险主体双方均为保险人。2、保险标的不同。原保险中的保险标的既可以是财产、利益、责任、信用，也可以是人的生命与身体；再保险中的标的只是原保险人对被保险人承保合同责任的一部分或全部。3、合同性质不同。原保险合同中的财产保险合同属于经济补偿性质，人身保险合同属于经济给付性质；再保险合同全部属于经济补偿性质，再保险人负责对原保险人所支付的赔款或保险金给予一定补偿。4、赔付性质不同。
主要区别在于：1.协议当事人不同.原保险协议的双方当事人是投保人和保险人；再保险协议的双方当事人都是保险人，即分出人与分入人，与原投保人无关.2.保险标的不同.原保险协议的保险标的是被保险人的财产或人身，或者具体为：被保险人的财产及有关利益或者人的寿命和身体；而再保险协议的保险标的是原保险人分出的责任，分出人将原保险的保险业务部分地转移给分入人.3.保险协议的性质不同，原保险协议具有经济补偿性或者保险金给付性；而再保险协议具有责任分摊性，或补充性.其直接目的是要对原保险人的承保责任进行分摊.4.保险费支付不同.在原保险协议中，除了奖励性支付外，是单项付费的，即投保人向保险人支付保费；而在再保险协议中，保险人须向再保险人支付分保费，再保险人须向原保险人支付分保佣金. -
第6题：
金属应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同？
正确答案:前者利用金属形变引起电阻的变化；而后者是利用半导体电阻率变化引起电阻的变化（压阻效应）。 -
第7题：
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
正确答案:自动均流 -
第8题：
减压阀与溢流阀在工作原理上主要有何不同？
正确答案: 溢流阀是油入口油压来控制阀门的开度减压阀是出口油来控制阀门的开度。 -
第9题：
问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。正确答案： （1）门极电压最高绝对值小于20V
（2）门极阈值电压为2.5~5V
（3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
（4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
（5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
（6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
（7）控制电路与驱动电路应隔离
（8）简单实用，有保护，抗干扰强解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述N型MOSFET的工作原理。正确答案： A.栅上未加电压时，从源极到漏极相当于两个背靠背的pn结，源漏仅存在反向漏电流，器件未导通，处于截止状态。
B.当栅上加足够大的正向电压时，中间MOS结构出现反型，形成导电沟道。当加小的漏电压时，电子将通过源极流到漏极，沟道的作用相当于一个电阻，且漏电流与漏电压成正比，NMOS器件工作在线性区。当漏电压增加时，沟道夹断，漏电流基本保持不变器件工作在饱和区。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述交换机与集线器在工作原理上的区别。正确答案： 集线器采用“广播模式”工作，很容易产生“广播风暴”，当网络规模较大时性能会收到影响。交换机工作的原理是通过发出请求的端口和目的端口之间相互影响而不影响其他端口。因此交换机能够抑制广播风暴的产生并在一定程度上隔离冲突域。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述再保险与原保险的不同之处。正确答案： （1）合同当事人不同（2）合同的客体不同（3）合同的性质不同再保险是保险的一种，但与保险有许多不同之处，其特征表现为：
（一）订立合同的双方当事人都是保险人，一方是再保险分出人，另一方为再保险接受人。
（二）再保险合同中的标的，是再保险分出人所承担的保险赔偿责任，是非物质的。
（三）所有再保险合同，包括人身保险和财产保险，都实行补偿原则。再保险是再保险人与原保险人之间的合同关系，是原保险人将承保的被保险的危险转移给再保险人保险的合同行为，是以原保险合同为基础的独立合同。所以，原保险不存在，再保险即无从成立。
再保险人接受再保险业务，须向原保险人提供履行其义务的保证。方法是由原保险人提存保费准备金，或由再保险人提供信用证明等。再保险与原保险的区别如下：1、主体不同。原保险主体一方是保险人，另一方是投保人与被保险人；再保险主体双方均为保险人。2、保险标的不同。原保险中的保险标的既可以是财产、利益、责任、信用，也可以是人的生命与身体；再保险中的标的只是原保险人对被保险人承保合同责任的一部分或全部。3、合同性质不同。原保险合同中的财产保险合同属于经济补偿性质，人身保险合同属于经济给付性质；再保险合同全部属于经济补偿性质，再保险人负责对原保险人所支付的赔款或保险金给予一定补偿。4、赔付性质不同。
主要区别在于：1.协议当事人不同.原保险协议的双方当事人是投保人和保险人；再保险协议的双方当事人都是保险人，即分出人与分入人，与原投保人无关.2.保险标的不同.原保险协议的保险标的是被保险人的财产或人身，或者具体为：被保险人的财产及有关利益或者人的寿命和身体；而再保险协议的保险标的是原保险人分出的责任，分出人将原保险的保险业务部分地转移给分入人.3.保险协议的性质不同，原保险协议具有经济补偿性或者保险金给付性；而再保险协议具有责任分摊性，或补充性.其直接目的是要对原保险人的承保责任进行分摊.4.保险费支付不同.在原保险协议中，除了奖励性支付外，是单项付费的，即投保人向保险人支付保费；而在再保险协议中，保险人须向再保险人支付分保费，再保险人须向原保险人支付分保佣金.解析： 暂无解析 -
第13题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第14题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第15题：
简述MOSFET的两个电场。
正确答案:MOSFET的中心是由栅极、绝缘膜、半导体构成了一个MIS结构。两边由源漏电极与半导体材料形成了pn结。在栅极与半导体衬底之间加电压，在Si/SiO2界面垂直方向上将形成垂直的电场。在源漏电极之间加电压，在p+/n/p+水平方向上将形成水平的电场。 -
第16题：
简述有机薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）有源层材料广泛；
2）成本低；
3）工艺简单；
4）可以实现柔性显示。 -
第17题：
电阻丝式应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同？
正确答案:金属电阻应变片是利用电阻应变效应；半导体应变片是利用压阻效应。电阻丝应变片利用导体形变引起电阻变化，半导体应变片利用半导体电阻率变化引起电阻变化。通常半导体应变片比电阻丝应变片灵敏度高，但分散性大，温度效应也比较大。 -
第18题：
简述功率MOSFET的特性。
正确答案: 功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此同双极型晶体管相比，功率MOSFET具有两个显著的特点：一个是驱动电路简单，驱动功率小；另一个是开关速度快、工作频率高。另外，其热稳定性也优于双极型晶体管。 -
第19题：
简述流程是生产方式与加工装配式生产在管理上的不同点的观点。
正确答案: 1）流程式生产的生产设施地理位置往往相对集中，生产过程自动化程度高，只要设备运转正常工艺参数得到控制就能生产合格产品，生产过程中的协作与协调任务也比较少，由于高温、高压、易燃等特点，生产系统的可靠性和安全性要求较高
2）加工装配式生产的产品是有离散的零部件装配而成的，组成产品的零部件在不同地区、不同国家制造，因此生产设施地理位置往往很分散，由于零部件种类繁多加工工艺多样化所以跨车间跨企业的协作关系复杂，生产中的计划组织协调的任务相当繁重提高了生产管理的复杂性 -
第20题：
简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
正确答案:（1）门极电压最高绝对值小于20V
（2）门极阈值电压为2.5~5V
（3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
（4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
（5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
（6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
（7）控制电路与驱动电路应隔离
（8）简单实用，有保护，抗干扰强 -
第21题：
问答题减压阀与溢流阀在工作原理上主要有何不同？正确答案： 溢流阀是油入口油压来控制阀门的开度减压阀是出口油来控制阀门的开度。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述流程是生产方式与加工装配式生产在管理上的不同点的观点。正确答案： 1）流程式生产的生产设施地理位置往往相对集中，生产过程自动化程度高，只要设备运转正常工艺参数得到控制就能生产合格产品，生产过程中的协作与协调任务也比较少，由于高温、高压、易燃等特点，生产系统的可靠性和安全性要求较高
2）加工装配式生产的产品是有离散的零部件装配而成的，组成产品的零部件在不同地区、不同国家制造，因此生产设施地理位置往往很分散，由于零部件种类繁多加工工艺多样化所以跨车间跨企业的协作关系复杂，生产中的计划组织协调的任务相当繁重提高了生产管理的复杂性解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题柴油机与气油机在工作原理上的最大区别在于（）A燃料不同
B用途不同
C发火方式不同
D内部燃烧
正确答案： B解析： 暂无解析