试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？

题目

试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？

相似考题

1.X线机中设置容量保护电路的目的是A．防止摄影时阳极未达到额定转速而曝光B．防止摄影时阳极未启动而曝光C．防止一次性超容量曝光，保护高压变压器D．防止一次性超容量曝光，保护X线管E．防止积累性超容量曝光，保护X线管

2.光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

3.在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

4.成像板擦除完全性的测试中，应该（）A、第一次大剂量曝光第二次小剂量曝光B、第一次小剂量曝光第二次大剂量曝光C、两次使用完全相同的曝光量D、第一次使用被照体E、第二次不使用被照体

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  • 第1题：

    简述背沟道阻挡结构的优缺点。


    正确答案:优点是a-Si：H层可以做得比较薄，一般厚度是300~500Å，薄膜的生产性好，关态电流很小；刻蚀选择比大，刻蚀条件宽松，工艺简单；缺点是比背沟道刻蚀型结构要多增加一次光刻，成本增加，节拍时间长。

  • 第2题：

    为了获得景物层次丰富，灯光效果强烈的夜景气氛，拍摄中常采用（）的方法。

    • A、一次拍摄
    • B、二次曝光
    • C、三次曝光
    • D、多次曝光

    正确答案:B

  • 第3题：

    曝光不足败版，重新确定曝光时间可采（）

    • A、同一网版多段曝光
    • B、以不同目数网布试相同曝光
    • C、使用数个网版分别测试
    • D、以不同颜色网布测试

    正确答案:A

  • 第4题：

    在渲染动画效果时，应该使用的[曝光控制]是（）。

    • A、自动曝光控制
    • B、正确数曝光控制
    • C、现行曝光控制
    • D、为彩色曝光控制

    正确答案:B

  • 第5题：

    在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

    • A、化学增强
    • B、化学减弱
    • C、厚度增加
    • D、厚度减少

    正确答案:A

  • 第6题：

    X线管容量是指X线管在安全使用条件下能承受的最大负荷量，是一次负荷的安全性。即在确定曝光时间下所能允许使用的最大曝光条件－管电压和管电流。X线机中设置容量保护电路就是为了防止一次性超负荷曝光。X线管的容量（Pa）与管电压的有效值、管电流的有效值成正比。X线管的容量还与设备高压整流方式和曝光时间有关。X线发生时，绝大部分电能转化为热量。X线机中设置容量保护电路的目的是（）

    • A、防止摄影时灯丝未加热而曝光保护X线管
    • B、防止X线管过热状态下曝光，保护X线管
    • C、防止超热容量指标曝光，保护X线管
    • D、防止一次性超负荷曝光，保护X线管
    • E、防止一次性超负荷曝光，保护高压变压器

    正确答案:C

  • 第7题：

    单选题
    X线机中设置容量保护电路的目的是（　　）。
    A

    防止摄影时阳极未达到额定转速而曝光

    B

    防止摄影时阳极未启动而曝光

    C

    防止一次性超容量曝光，保护高压变压器

    D

    防止一次性超容量曝光，保护X线管

    E

    防止积累性超容量曝光，保护X线管


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    为了获得景物层次丰富，灯光效果强烈的夜景气氛，拍摄中常采用（）的方法。
    A

    一次拍摄

    B

    二次曝光

    C

    三次曝光

    D

    多次曝光


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

    正确答案： 感光剂、基体材料和溶剂,重氮醌,长链分子断裂,去除,交联,保留
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    常见的光刻对准曝光设备有？

    正确答案： 接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

    正确答案： 汞灯和准分子激光
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。
    A

    电子束曝光技术

    B

    离子束曝光技术

    C

    X射线曝光技术


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


    正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

  • 第14题：

    光刻加工的工艺过程为（）

    • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
    • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
    • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

    正确答案:B

  • 第15题：

    在曝光因子的公式中，背电流、曝光时间和焦距三者的关系是（）。

    • A、管电流不变，背电流与焦距的平方成反比
    • B、管电流不变，时间与焦距的平方成正比
    • C、焦距不变，管电流与曝光时间成正比
    • D、曝光时间不变，管电流与焦距成正比

    正确答案:A

  • 第16题：

    例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。


    正确答案:汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子 是有惰性气体原子和卤素构成 只存在与准稳定激发态。

  • 第17题：

    光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）

    • A、电子束曝光技术
    • B、离子束曝光技术
    • C、X射线曝光技术

    正确答案:B

  • 第18题：

    单选题
    在曝光因子的公式中，背电流、曝光时间和焦距三者的关系是（）。
    A

    管电流不变，背电流与焦距的平方成反比

    B

    管电流不变，时间与焦距的平方成正比

    C

    焦距不变，管电流与曝光时间成正比

    D

    曝光时间不变，管电流与焦距成正比


    正确答案： C
    解析： 曝光因子是一个用来确定曝光参数的物理量，对同一台X射线机或同一个放射同位素来说，只要曝光因子值不变，照相的曝光量也就不变，摄得底片黑度必然相同。对背电流、时间和焦距三个参数，从而保证照相曝光量不变。
    平方反比定律是指背电流与焦距的平方成反比的规律，原理是：近似认为射源是一个点，在其照射照射上任意立体角内取任意垂直截面，单位时间内通过的光量子总数是不变的，但是由于截面积与到射源的焦距的平方成正比，所以单位面积的光量子密度，即背电流与焦距的平方成反比。

  • 第19题：

    单选题
    光刻加工的工艺过程为：（）
    A

    ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗

    B

    ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散

    C

    ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

    正确答案： 汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。

    正确答案： 投影式
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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