简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
题目
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
相似考题
参考答案和解析
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。
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第1题：
简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n-区和n+区掺杂；
4）第四次光刻p+区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。 -
第2题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第3题：
简述低温多晶硅技术的挑战。
正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。 -
第4题：
简述氧化物薄膜晶体管驱动OLED的优势，以及当前的研究热点？
正确答案:优点是载流子迁移率为10cm2/Vs左右，阈值电压的变化与LTPS相当，可以采用溅射方法制作，不受基板尺寸限制，对现在的TFT LCD生产线不需要较大改动。
研究热点在于：1）由于载流子有氧空位，制造过程和工作状态下易受到影响，TFT特性稳定性和工艺重复性差，成为量产前急需解决的一个关键技术难题。通过在成膜后施加热处理，有望改善；
2）在相同体系中其他半导体材料的研发，减少贵金属材料的使用，降低材料成本；
3）更为便宜的制造工艺的研发，如涂布和喷印技术。 -
第5题：
由（）组成的集成电路简称CMOS电路。
- A、金属
- B、氧化物
- C、半导体场效应管
- D、磁性物
正确答案:A,B,C -
第6题：
在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
正确答案:错误 -
第7题：
从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。
- A、CMOS电路高得多
- B、CMOS电路低得多
- C、两者差不多
- D、不确定
正确答案:B -
第8题：
在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。
- A、互补MOS与非门电路
- B、CMOS与非门电路
正确答案:A -
第9题：
如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）
- A、电平移动器
- B、缓冲器
- C、放大器
- D、比较器
正确答案:A -
第10题：
单选题不属于CMOS逻辑电路优点的提法是（）。A输出高低电平理想
B电源适用范围宽
C抗干扰能力强
D电流驱动能力强
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述步进电动机驱动电路的组成。正确答案： 步进电动机的驱动电路由脉冲信号发生器、分频器、脉冲分配器和脉冲放大器组成。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述CMOS反相器功耗的组成？正确答案： 由动态功耗PD和静态功耗Ps组成；
①动态功耗：开关瞬态电流造成的功耗PA
负载电容的充电和放电造成的功耗PT；
②静态功耗：反向漏电流造成的功耗；解析： 暂无解析 -
第13题：
CMOS电路是指（）。
- A、场效应管晶体管组成的电路
- B、P和N型场效应管互补组成的电路
- C、P型场效应管组成的电路
- D、N型场效应管组成的电路
正确答案:A -
第14题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第15题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第16题：
简述CMOS门电路的操作规则。
正确答案:（1）在防静电材料中储存或运输；
（2）需要进行和焊接时，所采用的设备应接地；
（3）电源接通期间不应把器件从测试座上插入或拔除；
（4）调试电路时，应先接通线路板电源，后接通信号源电源；断电时，应先断开信号源电源，后断开线路板电源。 -
第17题：
简述TTL电路与CMOS电路在性能上有哪些主要的区别？
正确答案: 电源电压；TTL电路的电源电压固定为5V；COMS的电源电压通常可取3—18V。
输出电平；TTL电路的高电平Uou≥2．4V，低电平UoL<0．4V：COMS的高电平
UoH≥69％UDD，低电平UOL＝0。
门坎电平；TTL电路的门坎电平钧为1.4V；COMS的门坎电平为UDD／2。
输入端；TTL输入端接高电平时有电流流入，接低电平时有电流流出，输入端如果悬空相当于接高电平；COMS电路因为输入端是绝缘的，所以无电流，而且输入端不允许悬空。 -
第18题：
简述步进电动机驱动电路的组成。
正确答案:步进电动机的驱动电路由脉冲信号发生器、分频器、脉冲分配器和脉冲放大器组成。 -
第19题：
与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
正确答案:功耗低；工作电压范围宽；抗干扰能力强；集成度高；成本低 -
第20题：
CMOS电路工作电压越低（）。
- A、开关速度越慢
- B、功耗越小
- C、抗干扰能力越强
- D、驱动能力越强
正确答案:B -
第21题：
问答题简述CMOS模拟集成电路的版图设计流程。正确答案： （1）需手工绘制，不能用数字的版图设计方法；
（2）需考虑多因素是折衷，尤其对噪声串扰要求高；
（3）要求器件的匹配性要好
（4）用版图绘制软件（如L-Edit）绘制版图，提取参数，后仿真。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。正确答案： ①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P阱区→P阱硼注入→阱推进
②LOCOS隔离工艺：垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻NMOS管场区→NMOS管场区硼注入→场区选择氧化
③多晶硅栅结构工艺：去除氮化硅→栅氧化→多晶硅沉积→多晶掺磷→光刻多晶硅
④源/漏（S/D）注入工艺：光刻NMOS管源漏区→NMOS管源漏区磷注入→光刻PMOS管源漏区→PMOS管源漏硼注入
⑤金属互连的形成：BPSG沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射Si-Al-Cu→光刻金属互连
⑥制作压点及合金：钝化→光刻压焊窗口→合金
⑦参数测试。解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。A非晶硅（a-Si）
B低温多晶硅（LTPS）
C金属氧化物（Oxide）
D单晶硅（Si）
正确答案： D解析： 暂无解析