结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

第1题：

第2题：

结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路（），并有一定的电压放大倍数。

• A、输入电阻很大；
• B、输入电阻很小；
• C、输出电阻很大；
• D、输出电阻很小。

正确答案:A

第3题：

结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。

• A、反偏电压
• B、反向电流
• C、正偏电压
• D、正向电流

正确答案:A

第4题：

功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

• A、驱动信号的前后沿陡峭
• B、驱动信号的电压应高于开启电压
• C、信号电压应低于栅源击穿电压
• D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压

正确答案:A,B,C,D

第5题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第6题：

场效应管是通过（）改变漏极电流的。

• A、栅极电流
• B、栅源电压
• C、漏源电压

正确答案:B

第7题：

场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。

正确答案:漏极

第8题：

场效应管工作在饱和区时，其漏极电流i_D和栅源电压V_GS之间呈（）关系。

正确答案:平方

第9题：

当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

• A、大于
• B、小于
• C、等于
• D、变宽

正确答案:A

第10题：

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。

正确答案:导电沟道；感生电荷

第11题：

第12题：

第13题：

N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

• A、正极性
• B、负极性
• C、零
• D、不能确定

正确答案:A

第14题：

场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。

正确答案:0

第15题：

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

正确答案:正确

第16题：

外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。

正确答案:正确

第17题：

当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

正确答案:无；最小

第18题：

根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

正确答案:增强型

第19题：

结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。

正确答案:反向

第20题：

场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。

正确答案:正确

第21题：

结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。

正确答案:反向

第22题：

当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

正确答案:大于；窄；小于；宽

第23题：