此题为判断题(对,错)。
1.耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
2.1、结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。
3.双极型晶体三极管处于放大状态工作时,其两个PN结即发射结和集电极结的状态是()。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏
4.结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。
第1题:
结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。
第2题:
13、为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅极和源极之间的PN结必须反向偏置。
第3题:
12、结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。
第4题:
N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压
第5题:
1、结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压
B.反向电流
C.正偏电压
D.正向电流