更多“()是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A、溅射率B、溅射系数C、溅射效率D、溅射比”相关问题
  • 第1题:

    从电极的结构看,溅射的方法包括()。

    • A、直流溅射
    • B、交流溅射
    • C、二级溅射
    • D、三级溅射
    • E、四级溅射

    正确答案:C,D,E

  • 第2题:

    什么叫溅射合成法?溅射合成法有哪些应用?


    正确答案:溅射技术广泛引用于制备多晶质和无定型薄膜,也可以在适当条件下制备单晶薄膜。按是否发生化学反应来划分,溅射技术可以分为阴极溅射、反应溅射、吸气溅射三种。
    应用:钡铁氧体薄膜的溅射合成
    PTC电子陶瓷薄膜的溅射合成
    二氧化锡气敏薄膜的溅射合成。

  • 第3题:

    简述蒸镀与溅射的区别


    正确答案: 蒸镀:让材料加热气化(发射出粒子),再沉积到基片上成膜。
    溅射:用离子轰击,将靶材原子打出来,再沉积到基片上成膜。

  • 第4题:

    简述热蒸镀(真空蒸发)膜与离子溅射膜的区别和优缺点。


    正确答案: 粒子具有的动能不同:蒸镀膜所沉积的粒子有较低的动能,而溅射出来的粒子有很高的动能,比蒸发高1~2个数量级。
    粒子飞向基体表面的分布规律不同:对于小面积蒸发源,气相原子飞向基体表面时按余弦定律分布。对于阴极溅射,靶是多晶材料且入射氩离子较大时符合余弦分布规律,但对单晶靶材,则产生择优溅射效应,不同晶面的溅射强度不同。
    粒子电性不同:蒸发出来的气相原子几乎都是不带电的中性粒子,但溅射出来的粒子,除中性原子或原子团外,还可能有正离子、负离子、二次电子和光子等多种粒子。
    真空度不同:蒸发镀时,真空度较高,气体分子平均自由程大于蒸发源到基体间的距离,气相原子在飞向基体的过程中,气相原子间或与残余气体分子间碰撞机会很少,它们基本上保持原有的能量,能量分布及直线飞行轨迹。阴极溅射时真空度较低,气体分子平均自由程小于靶材和基体之间的距离,溅射原子飞行过程中,相互间碰撞,原子及其他残余气体分子相互碰撞,改变了溅射原子方向,到达基体表面的粒子可来自基体正前方整个半球面空间的所有方向,因此较容易制备厚度均匀的薄膜。
    粘合力不同:蒸发镀所形成的膜容易从基体剥落,而阴极溅射所形成的膜由于形成了过渡层,能很好的跟基体结合,不易剥落。
    优缺点:
    蒸镀膜:薄膜成分与蒸发合金组分有偏离,薄膜含杂质少,基体和薄膜温度变化不大。
    溅射膜:薄膜成分与靶材一致,含较多杂质,基体和薄膜温度变化很大。

  • 第5题:

    问答题
    溅射与蒸发的异同点是什么?

    正确答案: 同:在真空中进行。
    异:蒸发制膜是将材料加热汽化。溅射制膜是用离子轰击靶材,将其原子打出。
    解析: 暂无解析

  • 第6题:

    判断题
    离子溅射镀膜与离子镀过程原理是一样的。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    判断题
    常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射,其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    名词解释题
    溅射镀膜

    正确答案: 溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速,使其获得一定的动能后,轰击靶电极,将靶电极的原子溅射出来,沉积到衬底形成薄膜的方法。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工,而离子刻蚀加工主要是通过()效应对工件进行加工。
    A

    撞击

    B

    溅射

    C

    注入

    D

    撞击、溅射


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    与普通溅射法相比,磁控溅射的特点是什么?

    正确答案: 普通溅射法有两个缺点:一是溅射方法淀积薄膜的速率低;二是所需的工作气压较高,这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可能性提高。磁控溅射:使电子的路径不再是直线,而是螺旋线,增加了与气体原子发生碰撞的几率,在同样的电压和气压下可以提高电离的效率,提高了沉积速率.该方法淀积速率可比其他溅射方法高出一个数量级,薄膜质量好。这是磁场有效地提高了电子与气体分子的碰撞几率,因而工作气压可以明显下降,较低的气压条件下溅射原子被散射的几率减小。这一方面降低了薄膜污染的倾向,另一方面也将提高入射到衬底表面原子的能量,因而可以很到程度上改善薄膜质量。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    判断题
    离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    简述溅射与离子束铣蚀。

    正确答案: 通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀,各向异性性好,但选择性较差。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    简述溅射成膜的原理,并举例说明哪种薄膜采用溅射方法成膜。


    正确答案:在一定真空条件下,通过外加电、磁场的作用将惰性气体电离,用加速的离子轰击固体表面,离子和固体表面原子交换动量,使固体表面的原子离开固体并沉积在基板表面的过程。被轰击的物体是用溅射薄膜的源材料组成的固体称为靶材。
    栅金属材料有工艺稳定性好的铬Cr、钼Mo、钽Ta等;源漏材料有钼/铝/钼Mo/Al/Mo、钼氮/铝镍/钼氮MoNx/AlNi/MoNx、钼/铝钕/钼Mo/AlNd/Mo等三层材料;像素电极ITO薄膜材料都采用溅射方法成膜。

  • 第14题:

    简述常见的溅射镀膜方法


    正确答案: (1)辉光放电直流溅射
    (2)射频溅射
    (3)磁控溅射

  • 第15题:

    简述溅射镀膜的特征


    正确答案: (1)溅射出来的粒子角分布取决于入射粒子的方向.
    (2)从单晶靶溅射出来的粒子显示择优取向.
    (3)溅射率不仅取决于入射粒子的能量,也取决于入射粒子的质量.
    (4)溅射出来的粒子平均速率比热蒸发的粒子平均速率高得多.

  • 第16题:

    填空题
    常用的溅射镀膜气体是(),射频溅射镀膜的射频频率是()。

    正确答案: 氩气(Ar),13.56MHz
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  • 第17题:

    问答题
    简述蒸镀与溅射的区别

    正确答案: 蒸镀:让材料加热气化(发射出粒子),再沉积到基片上成膜。
    溅射:用离子轰击,将靶材原子打出来,再沉积到基片上成膜。
    解析: 暂无解析

  • 第18题:

    填空题
    根据引起气体放电的机理不同,可形成不同的溅射镀膜方法,主要有()溅射、()溅射、反应溅射、磁控溅射等方法。

    正确答案: 直流,高频
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    填空题
    溅射镀膜方法有()、()、()、()等。

    正确答案: 直流溅射,射频溅射,偏压溅射,磁控溅射(反应溅射、离子束溅射)
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    问答题
    溅射法的含义是什么?

    正确答案: 利用等离子体轰击被溅射物质使其分子或原子逸出,淀积到基片表面形成薄膜
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    简述溅射的优缺点。

    正确答案: 优点:①台阶覆盖能力好;②能沉积金属合金;③能进行原位溅射刻蚀。
    缺点:溅射速率低,金属膜含氩。
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  • 第22题:

    问答题
    为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?

    正确答案: 溅射是物理气相淀积形式之一,是一种薄膜淀积技术。
    工作方式:在溅射过程中,高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板,按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空,最后淀积在硅片上。
    优点:
    1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
    2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
    3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
    4.具有多腔集成设备,能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
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  • 第23题:

    名词解释题
    溅射

    正确答案: 利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向欲被溅射的靶电极。
    解析: 暂无解析