什么叫TFT技术？TFT技术的主要特点是什么？

第1题：

第2题：

第3题：

简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。

正确答案:关键的TFT性能要求是：
1）更高的迁移率。对AMOLED显示，要求阵列基板的驱动TFT有较大的电流流过的能力，也就是要求TFT具有更高的开态电流。在适合的开关比下，要有更高的载流子迁移率，一般需要≥1cm²/Vs，最好达到5cm²/Vs以上；
2）更高的均匀性和稳定性。为保证显示效果，需要控制流过每一个OLED器件电流的均匀性和稳定性。因此，要求阵列基板上不同区域内的TFT特性具有更高的均匀性和稳定性。稳定性一般要求阈值电压的偏移△V_TH<1V。

第4题：

简述ELA技术制备LTPS TFT的缺点，针对ELA技术的问题有哪些解决方案？

正确答案:ELA技术的缺点是：
1）激光器昂贵、光学和机械系统复杂，制作成本高；
2）由于激光尺寸的限制，非晶硅薄膜按区域顺序晶化，不可避免地在两个晶化区域之间有一个晶化程度不同的接缝，载流子迁移率不同，TFT特性不匀均；
3）不均匀性随着驱动基板尺寸的增大而放大，制作大尺寸面板难度大，大型化困难。
解决方案：1）通过增加冗余驱动电路的方法有望解决TFT特性不均匀的现象，应用到大尺寸的OLED面板中。
2）采用相邻像素TFT驱动电路的方法，避开了使用激光束扫描范围重叠部分的TFT驱动技术。

第5题：

简述a-Si：H TFT驱动OLED面临的困难，实现a-Si：H TFT驱动的解决办法？

正确答案:1）OLED驱动要求TFT具有更大的开态电流。非晶硅的载流子迁移率低，亮度不够。开关TFT的关态电流不能超过10^-12A，对非晶硅来说是相当苛刻的要求。
2）阈值电压随时间漂移大，稳定性差，会出现显示图像不均匀现象。
3）为了防止阈值电压变化导致驱动电流的变化，驱动器件最好是工作在饱和区的p沟道器件。非晶硅技术不能制造出合适的p沟道TFT。
4）非晶硅技术存在着过高的光敏性。

第6题：

某触摸屏技术指标中显示器的颜色为l6色，则可以推定该显示器为（）。

• A、TFT-LCD
• B、TN-LCD
• C、STN-LCD
• D、TFT-LED

正确答案:C

第7题：

TFT-LCD

正确答案: 薄膜晶体管液晶显示器，是一种有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD.，具有超薄体形、低功耗、低辐射、无闪烁、完全物理平面、低反光、清晰的字符显示等优点。

第8题：

在下列液晶显示技术中，广泛应用于液晶显示器的是（）。

• A、TN
• B、STN
• C、DSTN
• D、TFT

正确答案:D

第9题：

薄膜晶体管型液晶显示器，又称为“真彩”液晶显示器，其英文简写是（）。

• A、TFT-LCD
• B、TFT-LED
• C、STN-LCD
• D、DSTN-LCD

正确答案:A

第10题：

目前大尺寸TFT-LCD的发展趋势是什么？

正确答案:大尺寸化、宽屏化。

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

简述TFT-LCD的工作原理。

正确答案:TFT液晶显示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行扫描和列寻址线，构成一个矩阵，在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。同一行中与各像素串连的场效应管（FET）的栅极是连在一起的。而信号电极Y将同一行中各FET的漏极连在一起。而FET的源极则与液晶的像素电极相连。为了增加液晶像素的驰豫时间，还对液晶像素并联上一个合适电容。
当扫描到某一行时，扫描脉冲使该行上的全部FET导通。同时各列将信号电压施加到液晶像素上，即对并联电容器充电。这一行扫描过后，各FET处于开路状态，不管以后列上信号如何变化，对未扫描行上的像素都无影响，即信号电压可在液晶上保持接近一帧时间，使占空比达到百分之百，而与扫描行数无关。

第15题：

简述TFT在液晶显示器中的作用。

正确答案:TFT在液晶显示器中起着开关的作用，器件性能的优劣直接影响图像显示的质量。

第16题：

简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。

正确答案:栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoN_x、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiN_x、SiO_x采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n⁺a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiN_x材料采用PECVD。

第17题：

主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？

正确答案:TFT器件中主要的半导体现象是电导现象。
在电场的作用下载流子会定向地运动，导电能力由电导率决定。电导率反映半导体材料导电能力的物理量，又由载流子密度和迁移率来决定。非晶硅半导体材料没有进行掺杂，载流子密度很低。因此，决定薄膜晶体管性质的主要参数是迁移率。
从半导体的角度应该提高迁移率，降低载流子浓度，或者降低暗电导率。

第18题：

三星9050显示屏（）

• A、4.0英寸电容屏WVGA（800x480）
• B、4.2英寸电容屏TFT（800x480）
• C、4.5英寸电容屏TFT（960x540）
• D、4.2英寸电容屏TFT（480x800）

正确答案:B

第19题：

（）显示器使用TFT技术。

• A、CRT
• B、LCD
• C、LED
• D、等离子

正确答案:B

第20题：

下面哪种技术是最新的LCD显示器技术（）。

• A、TN
• B、STN
• C、DSTN
• D、TFT

正确答案:D

第21题：

侦察监视技术的主要特点是什么？

正确答案: 空间上的立体化；
速度上的实时化；
手段上的综合化；
侦察与攻击一体化。

第22题：

膜技术的主要特点是什么

正确答案: （1）分离过程无相态变化，基本在常温下进行，特别适用对热敏感物质的分离。
（2）分离范围可以从小分子到大分子，从细菌到病毒，从蛋白质、胶体到多糖等。
（3）分离过程仅仅是简单的加压输送，易自控、占地面积小。
（4）与其它如蒸馏、冷冻、萃取等分离方法比较，节能效果显著。
（5）一般不需要投加其他物质，可节省原材料和化学药品。
（6）膜分离过程中分离和浓缩同时进行，能回收有价值的物质。

第23题：