延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
题目
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
相似考题
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第1题：
概念的内涵和延之间的关系是（）。
- A、概念的内涵越深其外延越广
- B、概念的内涵越浅其外延越广
- C、概念所包含的属性越多其外延越广
- D、概念所包含的属性越少其外延越广
正确答案:B,D -
第2题：
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
正确答案:大于；小于 -
第3题：
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
正确答案: 固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化，而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点，非晶区以固相外延方式生长后，位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶（a/C.界面的缺陷称为射程末端（EOR，End-of-RangE.缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于a/c界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。若位错环位于PN结耗尽区附近，会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散，使位错环处于高掺杂区，同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。 -
第4题：
多选题概念的内涵和延之间的关系是（）。A概念的内涵越深其外延越广
B概念的内涵越浅其外延越广
C概念所包含的属性越多其外延越广
D概念所包含的属性越少其外延越广
正确答案： C,D解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题异质外延对衬底和外延层有什么要求？正确答案： 对于B/A型的异质外延，在衬底A上能否外延生长B，外延层B晶格能否完好，受衬底A与外延层B的兼容性影响。衬底与外延层的兼容性主要表现在三个方面：
其一，衬底A与外延层B两种材料在外延温度不发生化学反应，不发生大剂量的互溶现象。即A和B的化学特性兼容；
其二，衬底A与外延层B的热力学参数相匹配，这是指两种材料的热膨胀系数接近，以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，因热膨胀产生残余应力，在B/A界面出现大量位错。当A、B两种材料的热力学参数不匹配时，甚至会发生外延层龟裂现象。
其三，衬底与外延层的晶格参数相匹配，这是指两种材料的晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格结构及参数的不匹配引起B/A界面附近晶格缺陷多和应力大的现象。解析： 暂无解析 -
第6题：
填空题“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。正确答案： 大于,小于解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？正确答案： （1）液相外延：采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；
（2）气相外延：使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程；
（3）分子束外延：在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延正确答案： 气相,气束解析： 暂无解析 -
第9题：
填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。正确答案： 四氯化硅（SiCl4）,三氯硅烷（SiHCl3）,二氯硅烷（SiH2Cl2）,硅烷（SiH4）解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述硅气相外延的过程？正确答案： 在气相外延生长过程中，有两步：
质量输运过程－－反应剂输运到衬底表面
表面反应过程－－在衬底表面发生化学反应释放出硅原子解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。正确答案： 多出子项,划分不全解析： 暂无解析 -
第13题：
讲清概念的方法是（）。
- A、扩大外延、扩大内涵
- B、扩大外延，减少内涵
- C、减少外延、减少内涵
- D、减少外延，扩大内涵
正确答案:D -
第14题：
任何一个概念都有它的内涵和外延，外延的大小与内涵成反比关系。内涵越多，外延就越小；内涵越少，外延就越大。
正确答案:正确 -
第15题：
异地高考的外延小于高考移民的外延。
正确答案:错误 -
第16题：
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？正确答案： 它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题试述晶体外延的意义，列出三种外延方法。正确答案： 晶体外延的意义是：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度，因而具有不同性质的晶体层。
晶体外延的方法主要有：气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？正确答案： 在超高真空中（气压<10-6Pa），通过精确控制各组分元素的分子束流，喷射到一定温度的基片表面，并在基片表面实现薄膜与基片的共格外延生长。
若外延层与基片为同种材料，则称为同质外延，如在单晶硅上的硅外延层等；若外延层与基片为不同材料，则称为异质外延，如蓝宝石上外延硅层等。解析： 暂无解析 -
第19题：
单选题讲清概念的方法是（）。A扩大外延、扩大内涵
B扩大外延，减少内涵
C减少外延、减少内涵
D减少外延，扩大内涵
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。正确答案： 是让生长原材料以气体或电浆粒子的形式传输至芯片表面，这些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 （Adsorb），通常芯片会以热的形式提供能量给粒子，使其游移至晶格位置而凝结 （Condensation）。（在此同时粒子和晶格表面原子因吸收热能而脱离芯片表面称之为解离 ）。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题什么叫做外延？外延有哪些特点？正确答案： ①定义：在单晶衬底上新生一层单晶膜的技术。
以气相外延为例，则是含外延层材料的物质以气相形式流向衬底，在高温下发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的单晶。
记作：P/Q（P为外延层）
②特点：
A.生成的晶体结构良好
B.掺入的杂质浓度易控制
C.可形成接近突变pn结的特点解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题解释：同质外延、异质外延。正确答案： 外延生长时，当衬底与外延层为同种材料时称为同质外延，同质外延的目的是形成具有不同掺杂种类及浓度的晶体层，因而它可以具有不同性能。当两者材料相异时称异质外延，异质外延用来形成各种异质结构的器件，如异质结晶体管（HBT）。解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题要讲清楚一个概念，正确的方法是（）。A尽量减小外延，扩大内涵
B尽量减小外延和内涵
C尽量扩大外延，减小内涵
D尽量扩大外延和内涵
正确答案： C解析： 暂无解析