外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

题目

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

相似考题

1.()期望是指客户对提供的商品形式层和外延层产生的满意。A.物质层次B.精神层次C.社会层次D.市场层次

2.产品的整体概念由（ ）组成。A.核心层 B.形式层 C.外延层 D.组合层 E.扩大层

3.外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

4.利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?

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  • 第1题：

    硅外延生长工艺包括（）。

    • A、衬底制备
    • B、原位HCl腐蚀
    • C、生长温度，生长压力，生长速度
    • D、尾气的处理

    正确答案:A,B,C,D

  • 第2题：

    双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。

    • A、基区宽度
    • B、外延层厚度
    • C、表面界面状态

    正确答案:C

  • 第3题：

    LED的材料制备包括什么（）。

    • A、外延片的制备
    • B、衬底材料的制备
    • C、外延片的生长
    • D、衬底材料的生长

    正确答案:B,C

  • 第4题：

    客户对企业产品的形式层和外延层，如产品的外观、色彩、装潢、品位和服务等所产生的满意称为（）

    • A、物质满意层次
    • B、精神满意层次
    • C、社会满意层次
    • D、产品满意层次

    正确答案:B

  • 第5题：

    名词解释题
    外延层的夹层

    正确答案： 外延层和衬底界面附近出现的高阻层或反型层。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    异质外延对衬底和外延层有什么要求？

    正确答案： 对于B/A型的异质外延，在衬底A上能否外延生长B，外延层B晶格能否完好，受衬底A与外延层B的兼容性影响。衬底与外延层的兼容性主要表现在三个方面：
    其一，衬底A与外延层B两种材料在外延温度不发生化学反应，不发生大剂量的互溶现象。即A和B的化学特性兼容；
    其二，衬底A与外延层B的热力学参数相匹配，这是指两种材料的热膨胀系数接近，以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，因热膨胀产生残余应力，在B/A界面出现大量位错。当A、B两种材料的热力学参数不匹配时，甚至会发生外延层龟裂现象。
    其三，衬底与外延层的晶格参数相匹配，这是指两种材料的晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格结构及参数的不匹配引起B/A界面附近晶格缺陷多和应力大的现象。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么是液相外延、气相外延和分子束外延？

    正确答案： （1）液相外延：采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；
    （2）气相外延：使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程；
    （3）分子束外延：在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    什么是外延层，为什么在硅片上使用它？

    正确答案： 在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。
    原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？

    正确答案： 1）在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，通过外延技术在硅表面沉积一个新的满足上述要求的晶体膜层，该膜层称为外延层。
    2）在硅片上使用外延层的原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？

    正确答案： 延层厚度应满足 Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox
    集区扩散结深Xjc 、集电极耗尽区宽度Xmc、埋层扩散上推距离TBL-up和为外延淀积后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度tepi-ox。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？


    正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。

  • 第14题：

    延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。


    正确答案:化学气相；液相；分子束

  • 第15题：

    用缎带以一环为中心，左右各2至3环逐层向外延伸的造型，称为（）结。


    正确答案:波浪

  • 第16题：

    判断题
    外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？

    正确答案： 它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    试述晶体外延的意义，列出三种外延方法。

    正确答案： 晶体外延的意义是：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度，因而具有不同性质的晶体层。
    晶体外延的方法主要有：气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    名词解释题
    外延层

    正确答案： 衬底上新生长的单晶层。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。

    正确答案： 是让生长原材料以气体或电浆粒子的形式传输至芯片表面，这些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 （Adsorb），通常芯片会以热的形式提供能量给粒子，使其游移至晶格位置而凝结 （Condensation）。（在此同时粒子和晶格表面原子因吸收热能而脱离芯片表面称之为解离 ）。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？

    正确答案： 在双极集成电路工艺中，采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压，而其低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻。在MOS集成电路工艺中，采用高阻的外延层可减小pnpn寄生闸流管效应和降低漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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