例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
题目
例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
相似考题
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第1题：
试述VB编程步骤，对每一步进行必要的解释。
正确答案:创建工程→界面设计→属性设置→代码编辑→文件保存→程序运行和调试。
创建工程
启动VisualBasic6.0后，在“新建工程”对话框中选择“标准EXE”文件，单击“确定”按钮。此时，工程资源管理器窗口中显示已创建了一个工程，默认名字为“工程1”并创建了一个窗体，默认名称为“Form1”。界面设计
新建窗体后，利用工具箱可以在窗体上依次添加控件对象。选择工具箱中的标签，通过双击或鼠标拖动将其对象拖放在窗体的合适位置；
属性设置
控件对象的默认属性值显然不能满足程序的要求，因此，我们要对每一个控件对象通过属性窗口设置属性。
代码编辑
应用程序进行到现在仅仅只做了一个空壳，当程序运行，我们单击任何命令按钮，并没有事情发生，这是因为我们还没有进行最重要的一个步骤——代码编辑。根据题目要求，我们要在代码窗口中对每个命令按钮的单击事件编程。
文件保存
在运行和调试程序前最好先保存文件。单击“文件”菜单“保存工程”或单击工具栏上的“保存工程”按钮，若是第一次进行保存操作，则先弹出“文件另存为”对话框，确定窗体文件的存放路径和文件名，按“保存”按钮即可，
程序运行
程序运行可以通过以下三种方式进行：
（1）“运行”菜单“启动”。（2）单击工具栏上的“启动”按钮。（3）按F5功能键。 -
第2题：
简要说明反应器底部出料系统的正常停车步骤。
正确答案: 底部出料系统正常停车：
（1）停出料程序或停止手动出料。
（2）核实底部出料锁紧斗和振动筛是空的，锁紧斗压力在0.01MPa以下，关除反应器底部进氮外各远程阀。
（3）停振动筛，但轴承密封氮气继续供应。
（4）将振动筛中的块料全部倒空。 -
第3题：
以二阶系统为例，简述求解具体系统频谱特性的一般步骤，并简要说出二阶系统的特性。
正确答案: 一般步骤：
1）对系统建模
2）求拉氏变换
3）求传递函数
4）求频率响应函数、幅频特性和相频特性；
5）画相应的图形并分析改进之。
二阶系统图形有几个关键点，对它进行讨论，并考虑最左最右的趋势。 -
第4题：
列出手机的三种状态，并做出简要解释。
正确答案:空闲状态：即手机开机但没有进行通话。
激活状态：即手机开机并正在进行通话或正在建立通话过程中。
关机状态：即手机电源未开。 -
第5题：
问答题简述光刻工艺步骤。正确答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题以二阶系统为例，简述求解具体系统频谱特性的一般步骤，并简要说出二阶系统的特性。正确答案： 一般步骤：
1）对系统建模
2）求拉氏变换
3）求传递函数
4）求频率响应函数、幅频特性和相频特性；
5）画相应的图形并分析改进之。
二阶系统图形有几个关键点，对它进行讨论，并考虑最左最右的趋势。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。正确答案： 第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。
第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层
第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂
第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上
第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培
第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形
第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性
第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。正确答案： ①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题光刻的步骤是哪些？正确答案： 前烘和前处理，匀胶，匀胶后烘，曝光，曝光后烘，显影，显影后烘，检查。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题嵌入式系统地设计包括哪些步骤？并对每一步的工作予以简单的说明。正确答案： 1、需求分析：确定设计任务和设计目标，并提炼出设计规格说明书作为正式设计指导和验收的标准。
2、体系结构设计：描述系统如何实现所述的功能和非功能描述。
3、硬件、软件、执行机构设计：基于嵌入式体系结构，对系统的硬件、软件和执行机构进详细设计。
4、系统集成：把系统的硬、软和执行装置集成在一起，进行调试，发现并改正单元设计的功能要求。
5、就是对设计好的系统进行全成测试，看其是否满足规格说明书中给定的功能要求。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题试述VB编程步骤，对每一步进行必要的解释。正确答案： 创建工程→界面设计→属性设置→代码编辑→文件保存→程序运行和调试。
创建工程
启动VisualBasic6.0后，在“新建工程”对话框中选择“标准EXE”文件，单击“确定”按钮。此时，工程资源管理器窗口中显示已创建了一个工程，默认名字为“工程1”并创建了一个窗体，默认名称为“Form1”。界面设计
新建窗体后，利用工具箱可以在窗体上依次添加控件对象。选择工具箱中的标签，通过双击或鼠标拖动将其对象拖放在窗体的合适位置；
属性设置
控件对象的默认属性值显然不能满足程序的要求，因此，我们要对每一个控件对象通过属性窗口设置属性。
代码编辑
应用程序进行到现在仅仅只做了一个空壳，当程序运行，我们单击任何命令按钮，并没有事情发生，这是因为我们还没有进行最重要的一个步骤——代码编辑。根据题目要求，我们要在代码窗口中对每个命令按钮的单击事件编程。
文件保存
在运行和调试程序前最好先保存文件。单击“文件”菜单“保存工程”或单击工具栏上的“保存工程”按钮，若是第一次进行保存操作，则先弹出“文件另存为”对话框，确定窗体文件的存放路径和文件名，按“保存”按钮即可，
程序运行
程序运行可以通过以下三种方式进行：
（1）“运行”菜单“启动”。（2）单击工具栏上的“启动”按钮。（3）按F5功能键。解析： 暂无解析 -
第13题：
嵌入式系统地设计包括哪些步骤？并对每一步的工作予以简单的说明。
正确答案: 1、需求分析：确定设计任务和设计目标，并提炼出设计规格说明书作为正式设计指导和验收的标准。
2、体系结构设计：描述系统如何实现所述的功能和非功能描述。
3、硬件、软件、执行机构设计：基于嵌入式体系结构，对系统的硬件、软件和执行机构进详细设计。
4、系统集成：把系统的硬、软和执行装置集成在一起，进行调试，发现并改正单元设计的功能要求。
5、就是对设计好的系统进行全成测试，看其是否满足规格说明书中给定的功能要求。 -
第14题：
简述推销步骤及每一步骤的具体目标要求。
正确答案: 寻找潜在顾客。推销对象必须满足两个条件：
（1）所有的购买个人或单位必须能够从所购买的产品中获得利益。
（2）有足够的购买能力。
顾客资格审查。内容包括：
（1）购买需求审查；
（2）支付能力审查；
（3）购买人资格审查。
接近前的准备。按照准顾客的类型分为：
（1）个体顾客的接近准备；
（2）团体顾客的接近准备；
（3）常顾客的接近准备。
约见。指推销员事先征得顾客同意接见的行动过程。
（1）约见的内容：①确定访问对象②明确访问目的③安排访问时间④选择访问地点。
（2）约见方法：①面约②函约③电约④托约⑤广约。
接触。接触顾客的方法：
（1）介绍接触法；
（2）产品接触法；
（3）利益接触法；
（4）好奇接触法；
（5）问题接触法。
面谈。基本原则：
（1）针对性原则；
（2）精确性原则；
（3）参与型原则；
（4）和气原则；
（5）鼓动性原则；
（6）真实性原则；
（7）灵活性原则。
处理顾客异议。基本策略：
（1）欢迎顾客提出异议；
（2）科学地预测顾客异议；
（3）认真分析顾客异议
（4）回避与成交无关或关系不大的异议；
（5）避免与顾客争吵或冒犯顾客；
（6）选择好处理顾客异议的最佳时机。
成交。基本策略：
（1）善于捕捉成交信号，及时成交；
（2）灵活机动，随时成交
（3）谨慎对待顾客的否定回答；
（4）充分利用最后的成交机会；
（5）留有一定的成交余地。 -
第15题：
列出目前常用的三种同步方式，并做出简要解释。
正确答案:准同步，采用高精度铯原子钟实现网间同步，一般国际间数字网采用。
相互同步，一般国内网状传输网采用，每个交换机对所有入局频率取平均值，最后全网就稳定在一个相同的频率上。对长距离和临时的频率抖动不太敏感。
主从同步，交换机锁定上一级交换机的频率，为了稳定提供几个备份的上级时钟和本地时钟，一般在星状本地网和远端交换机之间采用。 -
第16题：
问答题列出目前常用的三种同步方式，并做出简要解释。正确答案： 准同步，采用高精度铯原子钟实现网间同步，一般国际间数字网采用。
相互同步，一般国内网状传输网采用，每个交换机对所有入局频率取平均值，最后全网就稳定在一个相同的频率上。对长距离和临时的频率抖动不太敏感。
主从同步，交换机锁定上一级交换机的频率，为了稳定提供几个备份的上级时钟和本地时钟，一般在星状本地网和远端交换机之间采用。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题光刻工艺分为哪些步骤？正确答案： 1、底膜处理
2、涂胶
3、前烘
4、曝光
5、显影
6、坚膜
7、刻蚀去胶解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。正确答案： ①表面准备：清洁和干燥晶圆表面
②涂光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶
③软烘培：加热，部分蒸发光刻胶溶剂
④对准和曝光：掩膜版和图形在晶圆上精确对准和光刻胶的曝光，负胶是聚合物
⑤显影：非聚合光刻胶的去除
⑥硬烘培：对溶剂的继续蒸发
⑦显影目捡：检查表面的对准情况和缺陷情况
⑧刻蚀：将晶圆顶层通过光刻胶的开口去除
⑨光刻胶的去除：将晶圆上的光刻胶层去除
⑩最终目检：表面检查以发现刻蚀的不规则和其他问题解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。正确答案： 原理：临时性地涂覆在硅片表面，通过曝光转移设计图形到光刻胶上。
负胶特性：
1曝光后不可溶解
2显影时未曝光的被溶解
3便宜
正胶特性：
1曝光后可溶解
2显影时曝光的被溶解
3高分辨率解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。正确答案： 1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。
2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。
3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后，必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。
4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。
5曝光后烘焙：对于深紫外（duv）光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。
6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。
7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。
8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形，就要进行检查以确定光刻胶图形的质量。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题光刻加工技术的基本过程通常包括哪些步骤？正确答案： 光刻加工技术的基本过程通常包括：
1.涂胶；
2.曝光；
3.显影；
4.腐蚀；
5.去胶。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？正确答案： P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题列出手机的三种状态，并做出简要解释。正确答案： 空闲状态：即手机开机但没有进行通话。
激活状态：即手机开机并正在进行通话或正在建立通话过程中。
关机状态：即手机电源未开。解析： 暂无解析