什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
题目
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
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第1题：
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。 -
第2题：
简述什么是孤岛效应？怎么引起的？如何解决？
正确答案: （1）孤岛效应就是在无线通信系统中，因为复杂的无线环境，无线信号经过山脉、建筑物、以及大气层的发射、折射，或基站安装位置过高，以及波导效应等原因，引起在远离本小区覆盖的区域外形成一个强场区域。
（2）引起孤岛效应的主要原因有以下方面：天线挂高太高；天线方位角、下倾角设置不合理；基站发射功率太大；无线环境影响。
（3）调整方法主要有以下几个方面：调整工程参数；调整功率；优化邻区配置。 -
第3题：
如何处理RRU和天线之间的常见故障？常见告警有驻波比，通道幅相一致性告警。
正确答案: 1）根据告警信息里的PATHID可以定位到是第几根跳线出了问题，如果是8跟全有问题，一般是校准线出了问题，或者RRU加载失败，需重启RRU。
2）定位以后，一般先重新做跳线头子，看告警是否消失。
3）如果重做了跳线头子仍然不好，那么可能是RRU或者天线故障导致，定位有两种办法：
a.拿个小天线，连接RRU，如果告警消失，那么证明是天线问题或者是天线自带的跳线问题。
b.将有告警的PATHA与正常的PATHB在RRU侧倒换，如果仍然是PATHA有问题，那么很可能是RRU的通道A出了问题。如果倒换后PATHB出了告警，那么证明是天线问题或者是天线自带的跳线问题。 -
第4题：
R04某通道存在驻波比高告警，如何排查并解决该故障？
正确答案: RRU每20s检测一次DwPTS功率，并计算相应的前向功率和反向功率，并根据两者差值来计算驻波比。差值的绝对值与驻波比的大小成反比。
1）通过showswrate命令查看前向功率和反向功率，与正常的通道进行比较，确认造成驻波比大的直接原因：反向功率过大或者前向功率偏小
2）若反向功率大，说明天馈系统性能不好导致反射功率大。有两种可能：一是天线跳线连接不好（或进水）导致反射过大，可以通过重新连接或更换跳线解决；一是天线本身存在问题导致，通过更换天线解决（可能性很小）
3）若前向功率小，说明检测到的发射功率比正常要小，检测回路有问题。有两种可能：发射通道坏或检测通道坏
4）判断发射通道和检测通道问题，可以通过查看下行天线校正的幅度值来判定。若该通道下行天线校正幅度值比正常通道大，说明检测通道坏；若比正常通道要小，说明发射通道坏。这两种故障都是需要更换R04来解决 -
第5题：
请解释什么是远近效应，WCDMA网络是如何解决远近效应的？
正确答案: 由于移动用户的随机移动性，终端与基站的距离也是随机变化的，当两个用户以相同的发射功率发射信号时，它们到达基站的信号强弱是不同的，离基站近的信号强，离基站远的信号弱，强信号会把弱信号覆盖掉，这就是通常所说的远近效应。
WCDMA网络通过RAKE接收机以及外环功控解决远近效应。 -
第6题：
平面波入射到理想导体表面时，会引起全反射，入射波和反射波叠加之后所形成的合成波，磁场的驻波与电场的驻波错开1/4个波长。
正确答案:正确 -
第7题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题请解释什么是远近效应，WCDMA网络是如何解决远近效应的？正确答案： 由于移动用户的随机移动性，终端与基站的距离也是随机变化的，当两个用户以相同的发射功率发射信号时，它们到达基站的信号强弱是不同的，离基站近的信号强，离基站远的信号弱，强信号会把弱信号覆盖掉，这就是通常所说的远近效应。
WCDMA网络通过RAKE接收机以及外环功控解决远近效应。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？正确答案： 光刻（photolithography）就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。
光刻系统的主要指标包括分辨率R（resolution）、焦深（depth of focus，DOF）、对比度（CON）、特征线宽（critical dimension，CD）控制、对准和套刻精度（alignment and overlay）、产率（throughout）以及价格。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述什么是孤岛效应？怎么引起的？如何解决？正确答案： （1）孤岛效应就是在无线通信系统中，因为复杂的无线环境，无线信号经过山脉、建筑物、以及大气层的发射、折射，或基站安装位置过高，以及波导效应等原因，引起在远离本小区覆盖的区域外形成一个强场区域。
（2）引起孤岛效应的主要原因有以下方面：天线挂高太高；天线方位角、下倾角设置不合理；基站发射功率太大；无线环境影响。
（3）调整方法主要有以下几个方面：调整工程参数；调整功率；优化邻区配置。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。解析： 暂无解析 -
第13题：
简述多普勒效应的原因是什么？如何解决？
正确答案: 所谓多普勒效应就是当发射源与接收体之间存在相对运动时，接收体接收的发射源发射信息的频率与发射源发射信息频率不相同，这种现象称为多普勒效应，接收频率与发射频率之差称为多普勒频移。
解决措施：
（1）降低了接收的灵敏度。
（2）工作频率越高，多普勒频移越大，相同车速时，1800MHz比900MHz多普勒频偏大一倍，性能损失更大，因此对于GSM网络优先采用900MHz频段是有效的解决方案。
（3）另外设备本身具有自动频率控制（AFC.功能，AFC是针对铁路快速移动的特点设计的基站频率校正算法，通过快速测算由高速所带来的频率偏移，补偿多普勒效应，改善无线链路的稳定性。 -
第14题：
光刻和刻蚀的目的是什么？
正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。 -
第15题：
什么是驻波比VSWR？它是如何产生的？
正确答案:天线驻波比是表示馈线与天线匹配程度的指标。它的产生是由于入射波能量传输到天线输入端后未被全部辐射出去，产生反射波，反射波和入射波迭加生成驻波。
入射波和反射波两者叠加时，在相位相同的地方振幅相加最大，形成波腹；而在入射波和反射波相位相反的地方振幅相减为最小，形成波节。其它各点的振幅则介于波幅与波节之间。
电压驻波比VSWR＝驻波波腹电压幅度最大值ＶmAx/驻波波节电压辐度最小值ＶmiN -
第16题：
请简述什么为驻波比告警，及其解决方案。
正确答案: 驻波比告警即指：驻波比值大于1.5
解决方案：
（1）使用SiteMaster驻波测试仪对馈线和跳线进行测试，排查出具体出问题的地方，并记录测试结果。
（2）在与网管中心调测驻波比时，如果华为网管显示驻波比是10，表示已经达到无穷大，则必须要重做接头。
（3）如果故障点在机顶和1/2跳线和7/8馈线接头之间，更换跳线或重做接头。
（4）如果重做跳线接头之后还没解决问题，建议调换主分集跳线。 -
第17题：
关于反射系数和驻波比的关系，说法正确的是（）。
- A、驻波比不能反映终端匹配状态
- B、反射系数不能反映终端匹配状态
- C、反射系数和驻波比都可反映终端匹配状态
正确答案:C -
第18题：
问答题解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？正确答案： 扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题什么是驻波比VSWR？它是如何产生的？正确答案： 天线驻波比是表示馈线与天线匹配程度的指标。它的产生是由于入射波能量传输到天线输入端后未被全部辐射出去，产生反射波，反射波和入射波迭加生成驻波。
入射波和反射波两者叠加时，在相位相同的地方振幅相加最大，形成波腹；而在入射波和反射波相位相反的地方振幅相减为最小，形成波节。其它各点的振幅则介于波幅与波节之间。
电压驻波比VSWR＝驻波波腹电压幅度最大值ＶmAx/驻波波节电压辐度最小值ＶmiN解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题什么是负性光刻？正性光刻？正确答案： 负性光刻：把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片上。
正性光刻：把与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片上。两种工艺的区别：所用光刻胶不同。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题什么是驻波效应？如何减小驻波效应正确答案： 驻波效应：当曝光的光纤从光刻胶与衬底的界面反射时，会与入射的曝光光线产生干涉，会使曝光过度和不足的区域形成条纹状结构。
减小驻波效应的办法：
1、光刻胶内加染料可以减小反射强度。
2、经验表面淀积金属薄膜与电介质层作为抗反射镀膜减少晶圆表面的反射。
3、采用有机抗反射镀膜层。
4、通过曝光后烘烤降低。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题什么是光敏度，移相掩膜，驻波效应？正确答案： 光敏度：指单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小荷量。
移相掩膜：基本原理是在光掩模的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称移相器，使光波通过这个介质层后产生180°的位相差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应，从而提高图形曝光分辨率
驻波效应：在微细图形光刻过程中，一般曝光光源为单色或窄带光源，在由基片、氧化物层和抗蚀剂等组成的多层膜系情况下，由于膜系各层折射率不同，曝光时入射光将在各层膜的界面处发生多次反射，在光致抗蚀剂中形成驻波。解析： 暂无解析