沉淀被沾污的原因有（）A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀

第1题：

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。

• A、混晶
• B、吸留
• C、混杂
• D、吸附

第2题：

下列叙述哪些是错误的？（）

• A、沉淀反应后立即过滤可防止后沉淀
• B、沉淀的表面吸附作用是由于表面离子的力场未饱和所致
• C、进行陈化操作可减少混晶共沉淀
• D、AnS在HgS沉淀表面上而不在BaSO4沉淀表面上后沉淀

第3题：

重量分析中，当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时，其原因是由于（）。

• A、沉淀表面电荷不平衡
• B、表面吸附
• C、沉淀速度过快
• D、离子结构类似

第4题：

下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。

• A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质
• B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质
• C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多
• D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。

第5题：

共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。

第6题：

下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。

• A、洗涤可减免吸留的杂质
• B、洗涤可减少吸附的杂质
• C、易生成混晶的杂质应事先分离除去
• D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

第7题：

Ra²⁺与Ba²⁺的离子结构相似，因此可以利用BaSO₄沉淀从溶液中富集微量Ra²⁺，这种富集方式是利用了（）

• A、混晶共沉淀
• B、包夹共沉淀
• C、表面吸附共沉淀
• D、固体萃取共沉淀

第8题：

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）

• A、表面吸附
• B、混晶
• C、机械吸留
• D、后沉淀

第9题：

在下列叙述中，正确的是（）

• A、在重量分析中，需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀，应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器
• B、同一种沉淀，小颗粒溶解度大
• C、重量分析，要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mg
• D、引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。

• A、表面吸附
• B、生成混晶
• C、放置时间长
• D、吸留
• E、包藏

第14题：

造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。

• A、由于沉淀表面吸附了构晶离子
• B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子
• C、由于沉淀陈化的时间不够长
• D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

第15题：

形成共沉淀现象的原因有（）。

• A、表面吸咐
• B、生成混晶
• C、吸留
• D、陈化
• E、包藏

第16题：

用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。

• A、混晶共沉淀
• B、吸附共沉淀
• C、包藏共沉淀
• D、后沉淀

第17题：

在重量分析中，下面说法（）是错误的。

• A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多
• B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多
• C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少
• D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部

第18题：

重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）

• A、构晶离子
• B、高价离子
• C、极化程度大的离子
• D、浓度大的离子

第19题：

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）

• A、后沉淀
• B、机械吸留
• C、包藏
• D、混晶

第20题：

在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）

• A、混晶
• B、吸留
• C、包藏
• D、后沉淀

第21题：

重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）

• A、表面吸附
• B、吸留与包藏
• C、混晶
• D、后沉淀

第22题：

第23题：