简述多晶沉积层的生长过程以及结晶形态与过电位的关系。
题目
简述多晶沉积层的生长过程以及结晶形态与过电位的关系。
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第1题：
冰结晶形成的过程可以用结晶生长曲线表示，该曲线表示的含义有（）。
- A、温度与晶核生成量
- B、温度与晶体生长速度
- C、温度与冻结率
- D、温度与放热量
正确答案:A,B -
第2题：
简述同沉积断层与油气的关系。
正确答案:①同沉积断层在活动期可作为油气运移的通道，在沉寂期可封堵油气形成油气藏；
②同沉积断层在上盘形成的逆牵引背斜是有利的储油构造；
③同沉积断层通常发育在盆地边缘，为有利储集相带，同时又紧邻盆地的生油岩区，油气生成后容易运移到断裂带形成油气藏；
④由于同沉积断层发育早、持续时间长，油气长期处于运移、聚集和重新富集的状态下，有利于形成深、浅部叠合的油气藏。 -
第3题：
简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
正确答案: 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。 -
第4题：
同沉积断层中，同一地层在下降盘与上升盘的厚度之比称为生长指数，生长指数越大说明了同沉积断层的活动强度越大。
正确答案:正确 -
第5题：
简述电压与电位的关系。
正确答案:（1）电位值是相对的，参考点选取的不同，电路中各点的电位也将随之改变；
（2）电路中两点间的电压值是固定的，不会因参考点的不同而变，即与零电位参考点的选取无关。 -
第6题：
MBGE法成为多晶的理由是，有（）得到的金字塔形的山和谷的距离只有约1μm左右，因此可以认为在结晶核和生长层之间不形成温度差。
正确答案:刻蚀 -
第7题：
简述多晶体塑性变形过程及其特点？
正确答案: 多晶体塑性变形的过程主要为变形的传递和协调：
（1）变形的传递 ：当多晶体中少数取向有利的晶粒开始滑移时，当一个晶粒位错在某滑移系上动作后，位错遇到晶界便塞积起来，位错的塞积便会产生很大的应力集中，应力集中使临近晶粒的位错源启动，原来取向不利的晶粒开始变形，相邻晶粒的变形时位错塞积产生的应力集中得以松弛，滑移传递。
（2）变形的协调：假如多晶体在变形时各个晶粒的自身变形都像单晶体一样，彼此独立变形互相不约束，那么在晶界附近变形将是不连续的，会出现空隙或裂缝，为了适应变形的协调，要求临近晶粒的晶界附近区域有几个滑移系动作，就是已变形晶粒自身，除了变形的主滑移系外，在晶界附件也要求有几个滑移系同时动作。 当有大量晶粒发生滑移后，金属便显示出明显的塑性变形。
多晶体金属塑性变形的特点：
（1）各晶粒变形的不同时性和不均匀性。
（2）各晶粒变形的相互协调性，需要五个以上的独立滑移系同时动作。
（3）滑移的传递，必须激发相邻晶粒的位错源。
（4）多晶体的变形抗力比单晶体大，变形更不均匀。
（5）塑性变形时，导致一些物理、化学性能的变化。
（6）时间性，多晶体金属塑性变形需要一个过程。 -
第8题：
简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
正确答案: 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。 -
第9题：
问答题简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。正确答案： 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述结晶度与性能的关系。正确答案： 结晶度升高，制品的拉伸强度、刚性、硬度升高，冲击强度、断裂伸长率下降；耐热性、耐化学性、气密性、耐溶剂性提高；透明性下降。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题组成岩石的矿物的结晶程度、颗粒大小、晶体形态、自行程度和矿物之间的相互关系称为（）。A火成岩的结构
B火成岩的构造
C沉积岩的结构
D沉积岩的构造
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述双电层与电极电位的概念。正确答案： 双电层：电极与电解质溶液界面上存在的大小相等符号相反的电荷层。
任何一种金属插入含该金属离子的水溶液中，在金属/溶液界面上都会形成一定的电荷分布，从而形成一定的电位差，这种电位差就称之为该金属的电极电位。解析： 暂无解析 -
第13题：
技术形态与艺术形态的特征以及相互之间的关系。
正确答案:1）技术与艺术都是具有生产形态的一种社会实践活动。作为生产形态，两者分属于物质生产和精神生产的不同领域被。艺术创作是一种精神生产，它要通过某种物质媒介把艺术意象客观化和物质化。它是精神内容的传达媒介和物质载体，因此只具有精神功能。而技术活动是一种物质生产过程，它的产品首先具有物质的、实用的功能，同时也具有某种精神的功能。
2）技术和艺术在于满足人的不同需要。技术直接推动着物质生产和社会物质文明的发展，而艺术活动作用于人的精神世界，它通过审美效应发挥着认识的、教育的、心理调节的和娱乐的功能。因此，技术产品对于不同的接受者具有同一的物质效用，而艺术品对于不同的接受者却可能产生不同的艺术效果。
3）无论是技术产品和艺术作品，它们的构成中都包含着人的主体因素和外在的客体因素。技术的主体因素是由人的经验、只是和技能组成的，其客体因素是由工具、能源和材料等组成的。艺术中的主体因素则侧重于形式感受、情绪体验和思想情感等。 -
第14题：
简述同沉积褶皱各部位沉积物的主要特点及与油气的关系。
正确答案:同沉积褶皱指区域整体沉降接受过程中，因局部上隆作用造成边沉积边褶皱的构造变形。沉积物的主要特点如下：
①顶薄翼厚，上隆的中间部分常发生沉积间断或遭受剥蚀；
②上缓下陡，上部岩层平缓，下部岩层较陡；
③顶粗翼细，顶部岩石颗粒粗，翼部较细。
④高点偏移。
同沉积褶皱（背斜）与油气藏的关系：
①古隆起上常沉积粗粒物质，有利于形成较好的储集层；
②形成的背斜构造是良好的储油圈闭；
③翼部逐步过渡为深水还原环境，有大量的生油岩，油气形成后可直接向圈闭内运移，容易形成油气藏。 -
第15题：
简述碳酸盐台地沉积与油气的关系.
正确答案:碳酸盐台地是油气富集的有利场所，每类台地都有含油的实例。对同一台地，不同的部位储集潜力不同。
台地上的生物礁是最有利的储集相带，这是因为生物礁中不仅孔隙发育而且孔隙大，常为几厘米甚至更大，这样的孔隙在后期成岩作用中不易充填满。
其次是潮上带和颗粒滩。潮上带是强烈蒸发的环境，有利于发生准同生白云岩化，形成准同生白云岩，而且白云岩中常含石膏结核、石膏层等蒸发岩。蒸发岩后期容易发生溶蚀，形成溶蚀孔隙；也可导致上覆岩层垮塌、碎裂，形成角砾，产生砾间孔隙，从而形成储层。颗粒滩主要沉积亮晶颗粒石灰岩，其原生粒间孔隙发育，但这些孔隙在后期成岩阶段多被充填而变为无效孔隙。如果地质年代较新（中生代以来）、成岩胶结时间相对较短，则可保留部分孔隙成为良好储层。此外，与灰泥石灰岩相比，颗粒石灰岩白云化后孔隙较发育，可形成良好储层。
由于台地边缘生物礁和浅滩发育而且规模大，因此这里是十分有利的储集相带。
至于局限台地和开阔台地，其沉积以灰泥石灰岩、含颗粒或颗粒质灰泥石灰岩为主，几乎没有原生孔隙，如果要形成储层只能靠裂缝、白云化或后期溶蚀。但这两个相带却是台地上最有利的生油气相带。 -
第16题：
沉积物因环境改变重新结晶或者由不结晶或结晶细微到晶粒长大、加粗的过程叫做重结晶作用，该过程不能改变岩石原来的成分。
正确答案:正确 -
第17题：
（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
- A、直拉法
- B、铸锭法
- C、西门子法
- D、三氯氢硅还原法
正确答案:A -
第18题：
层理构造是沉积物在搬运和沉积过程中，由（）的流动，在沉积岩内部形成的成层构造。层理由沉积物的（）、（）、（）层的厚度以及（）沿垂向上的变化而显示出来。
正确答案:介质；成分；结构；颜色；形态 -
第19题：
沉积物中某些细小颗粒重结晶变为较大颗粒，以及重新排列的作用叫沉积分异作用。
正确答案:错误 -
第20题：
填空题自然电位形态可反应粒度和分选性的（），也反应砂体沉积过程中（）和（）供应关系。正确答案： 垂向变化,水动力,物源解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。正确答案： ①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。
②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。
③硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。正确答案： 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题利用自然电位曲线形态进行沉积相分析时，漏斗形曲线反映水流能量逐渐（）、物源供应逐渐（）的反粒序结构沉积；（）曲线一般反映沉积过程中物源供给和水动力条件稳定。正确答案： 增强,增加,箱形解析： 暂无解析