PVD与CVD相比，沉积温度（）A、相同B、低C、高D、有时高有时低

题目

PVD与CVD相比，沉积温度（）

  • A、相同
  • B、低
  • C、高
  • D、有时高有时低
相似考题

1.恒压比热CP和恒容比热CV相比()。A、CP>CVB、CPC、CP=CVD、无法比较

2.（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。A、LPCVDB、PECVDC、CVDD、PVD

3.化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。A、LVDB、PEDC、CVDD、PVD

4.制造陶瓷涂层发动机目前最佳的涂层方法是（）A、等离子喷涂法B、PVD法C、CVD法D、溶胶-凝胶工艺

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  • 第1题：

    下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

    • A、ARC可以是硅的氮化物
    • B、可用干法刻蚀除去
    • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第2题：

    高速钢表面涂层工艺与硬质合金表面涂层技术类同，有（）两种。

    • A、高温烧结和高温高压烧结
    • B、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）
    • C、热压法（HP）和热等静压法（HIP）
    • D、电镀法和电铸法

    正确答案:B

  • 第3题：

    PVD沉积温度一般（）

    • A、600℃以上
    • B、600-650℃
    • C、650-700℃
    • D、700℃以上

    正确答案:A

  • 第4题：

    生产超细颗粒的方法中PVD和CVD法分别指（）

    • A、物理气相沉积法；
    • B、化学气相沉积法；
    • C、气相法；
    • D、固相法

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。

    • A、物理气相沉积（PVD）
    • B、物理气相沉积（CVD）
    • C、化学气相沉积（VCD）
    • D、化学气相沉积（CVD）

    正确答案:D

  • 第6题：

    __________是糖尿病周围血管病(PVD)典型的临床症状，_____________是PVD的重要体征。


    正确答案:间歇跛行、足部动脉搏动减弱或消失

  • 第7题：

    问答题
    解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

    正确答案： 质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD.。
    反应速度限制淀积速率：淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。LPCVD属于：反应速度限制淀积速率；APCVD属于：质量传输限制淀积速率。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    化学气相沉积（CVD）

    正确答案： 反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固体基表面，进而制得固体材料的工艺技术。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

    正确答案： 采用LPCVD工具；
    1.通过掺杂可得到特定的电阻；
    2.和二氧化硅优良的界面特性；
    3.和后续高温工艺的兼容性；
    4.比金属电极更高的可靠性；
    5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；
    6.实现栅的自对准工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述化学气相沉积（CVD）的优点。

    正确答案： 准确控制薄膜的组分和掺杂水平、可在复杂的衬底上沉积薄膜、不需要昂贵的真空设备、高温沉积可改善结晶完整性、可在大尺寸基片上沉积薄膜。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    关于CVD涂层，（）描述是不正确的。
    A

    CVD表示化学气相沉积

    B

    CVD是在400~600℃的较低温度下形成

    C

    CVD涂层具有高耐磨性

    D

    CVD对硬质合金有极强的粘附性


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    与岩浆岩相比，沉积岩最显著特征是有（）和（）构造。


    正确答案:层理；层面

  • 第14题：

    PVD与CVD相比，工件变形（）

    • A、大
    • B、小
    • C、一样
    • D、几乎没有

    正确答案:B

  • 第15题：

    关于CVD涂层，（）描述是不正确的。

    • A、CVD对高速钢有极强的粘附性
    • B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
    • C、CVD涂层具有高耐磨性
    • D、CVD表示化学气相沉积

    正确答案:A

  • 第16题：

    恒压比热Cp和恒容比热Cv相比（）

    • A、Cp＞Cv
    • B、Cp＜Cv
    • C、Cp＝Cv
    • D、无法比较

    正确答案:A

  • 第17题：

    物理气相沉积简称（）。

    • A、LVD
    • B、PED
    • C、CVD
    • D、PVD

    正确答案:D

  • 第18题：

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。
    A

    物理气相沉积（PVD）

    B

    物理气相沉积（CVD）

    C

    化学气相沉积（VCD）

    D

    化学气相沉积（CVD）


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    物理气相沉积（PVD）按沉积薄膜气相物质的生成方式和特征主要可以分为哪几种？

    正确答案： （1）真空蒸镀--镀材以热蒸发原子或分子的形式沉积成膜。
    （2）溅射镀膜--镀材以溅射原子或分子的形式沉积成膜。
    （3）离子镀膜--镀材以离子和高能量的原子或分子的形式沉积成膜。
    在三种PVD基本镀膜方法中，气相原子、分子和离子所产生的方式和具有的能量各不相同，由此衍生出种类繁多的薄膜制备技术。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    物理气相沉积（PVD）

    正确答案： 利用电弧、高频电场、等离子体等高温热源将原料加热至高温，使之气化或形成等离子体，然后通过骤冷，使之凝聚成晶须、薄片、晶粒等各种形态。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    CVD为化学气相沉积技术的简称。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    名词解释题
    化学气相沉积（CVD）

    正确答案： 化学气相沉积是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底表面形成薄膜的过程。
    解析： 暂无解析

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