电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

题目

电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

相似考题

1.有关电力MOSFET的说法错误的是()。A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

2.电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。

3.使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护

4.P-MOSFET存在二次击穿现象。()

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  • 第1题：

    电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。

    • A、直流
    • B、低频
    • C、中频
    • D、高频

    正确答案:D

  • 第2题：

    电力场效应管MOSFET（）现象。

    • A、有二次击穿
    • B、无二次击穿
    • C、防止二次击穿
    • D、无静电击穿

    正确答案:B

  • 第3题：

    电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

    • A、电压
    • B、电流
    • C、电阻
    • D、功率

    正确答案:A

  • 第4题：

    在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）

    • A、A恒流区
    • B、B可变电阻区
    • C、C夹断区
    • D、D击穿区

    正确答案:A

  • 第6题：

    UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。

    • A、JFET
    • B、增强型MOSFET
    • C、耗尽型MOSFET

    正确答案:A,C

  • 第7题：

    电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。

    • A、有二次击穿
    • B、无二次击穿
    • C、防止二次击穿
    • D、无静电击穿

    正确答案:B

  • 第8题：

    电力晶体管在使用时，要防止（）。

    • A、二次击穿
    • B、静电击穿
    • C、时间久而失效
    • D、工作在开关状态

    正确答案:A

  • 第9题：

    对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。

    • A、MOS集成电路
    • B、HTL集成电路
    • C、TTL集成电路
    • D、分立电路

    正确答案:A

  • 第10题：

    单选题
    电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。
    A

    有二次击穿

    B

    无二次击穿

    C

    防止二次击穿

    D

    无静电击穿


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？

    正确答案： （1）压控器件，驱动简单
    （2）多子导电器件，开关频率高
    （3）电阻率具有正的温度系数，器件容易并联运行
    （4）无二次击穿
    （5）适合于低压、小功率、高频的应用场合
    （6）高压器件的导通电阻大
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？

    正确答案： 电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：
    ①一般在不用时将其三个电极短接；
    ②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；
    ③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高；
    ④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电力晶体管在使用时要防止二次击穿。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。

    • A、直流
    • B、低频
    • C、中频
    • D、高频

    正确答案:D

  • 第16题：

    如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？


    正确答案:电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：
    ①一般在不用时将其三个电极短接；
    ②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；
    ③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高；
    ④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

  • 第17题：

    场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。

    • A、非饱和区
    • B、饱和区
    • C、截止区
    • D、击穿区

    正确答案:B

  • 第18题：

    MOS场效应管的英语缩写是（）。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:D

  • 第19题：

    功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？


    正确答案:（1）压控器件，驱动简单
    （2）多子导电器件，开关频率高
    （3）电阻率具有正的温度系数，器件容易并联运行
    （4）无二次击穿
    （5）适合于低压、小功率、高频的应用场合
    （6）高压器件的导通电阻大

  • 第20题：

    电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。


    正确答案:电压控制原件

  • 第21题：

    电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）

    • A、时间久而失效
    • B、二次击穿
    • C、静电击穿
    • D、饱和

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    电力晶体管在使用时，要防止（）。
    A

    二次击穿

    B

    静电击穿

    C

    时间久而失效

    D

    工作在开关状态


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）
    A

    A恒流区

    B

    B可变电阻区

    C

    C夹断区

    D

    D击穿区


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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