使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护

题目

使用功率MOSFET时要注意（）。

  • A、防止静电击穿
  • B、防止二次击穿
  • C、MOSFET不能承受反压
  • D、栅源过电压保护
相似考题

1.电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定

2.目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()此题为判断题(对，错)。

3.SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

4.开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
正确答案:A,C,D
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  • 第1题：

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的时（）。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第2题：

    MOSFET晶体管属于（）器件。

    • A、电流型控制
    • B、电压型控制
    • C、功率型控制
    • D、P0004

    正确答案:B

  • 第3题：

    功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。

    • A、电压
    • B、电流
    • C、功率

    正确答案:A

  • 第4题：

    MOSFET功率管的热稳定性好，但是抗干扰能力差。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    简述功率MOSFET的特性。


    正确答案: 功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此同双极型晶体管相比，功率MOSFET具有两个显著的特点：一个是驱动电路简单，驱动功率小；另一个是开关速度快、工作频率高。另外，其热稳定性也优于双极型晶体管。

  • 第7题：

    功率MOSFET是（）型器件。

    • A、全控
    • B、半控

    正确答案:A

  • 第8题：

    使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    下列关于功率计使用的说法错误的是（）。

    • A、功率计在使用前必须校准和归零
    • B、功率计使用时要注意所配探头的最大承受功
    • C、功率计测试射频功率时要加检波器
    • D、功率计使用时电源地线必须可靠接地

    正确答案:C

  • 第10题：

    判断题
    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？

    正确答案： （1）压控器件，驱动简单
    （2）多子导电器件，开关频率高
    （3）电阻率具有正的温度系数，器件容易并联运行
    （4）无二次击穿
    （5）适合于低压、小功率、高频的应用场合
    （6）高压器件的导通电阻大
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？

    正确答案： GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。


    正确答案:单极型电压控制

  • 第15题：

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第16题：

    开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）


    正确答案:错误

  • 第17题：

    功率MOSFET的保护技术有哪些？


    正确答案: 栅源过压保护，漏源过压保护，峰值电流保护，有效值电流保护，过热保护和静电保护。

  • 第18题：

    功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。


    正确答案:自动均流

  • 第19题：

    GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？


    正确答案:GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。

  • 第20题：

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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