双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

题目

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

  • A、均为电压控制
  • B、均为电流控制
  • C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制
  • D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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1.按驱动电路信号的性质分类,晶闸管属于()型器件。A、电流驱动B、电压驱动C、单极D、双极

2.双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

3.功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。

4.三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制

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  • 第1题：

    绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。


    正确答案:电力晶体管

  • 第2题：

    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。


    正确答案:电力场效应晶体管栅极；以电力晶体管集电极和发射极

  • 第3题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第4题：

    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。


    正确答案:不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能

  • 第5题：

    双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

    • A、均为电压控制
    • B、均为电流控制
    • C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制
    • D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

    正确答案:D

  • 第6题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 集电极
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。

    正确答案： 场效应管是单极性器件，只有一种载流子对通道电流做出贡献，属于压控器件，通过栅极-源极的电压控制源极-漏极电流变化；使用GaAS半导体材料MISFET的截止频率可以达到60—70GHz，，HEMT可以超过100GHz，因此在射频电路设计中经常选用它们作为有源器件使用；双极型晶体管分为PNP和NPN两种类型，其主要区别在于各级的参杂类型不一致，属于电流控制器件，正常工作时，基极-发射极处于正偏，基极-发射极处于反偏；通过提高掺杂浓度和使用交指结构，可以提高其截止频率，使其可以在整个射频频段都能正常工作
    大信号模型是一个非线性模型，晶体管内部的等效的结电容和结电阻会发生变化，小信号模型是一个线性模型，可认为晶体管的个参数保持不变。
    能使用晶体管的大信号模型分析射频小信号。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    双极型半导体器件是（）。
    A

    二极管

    B

    晶体管

    C

    场效应晶体管

    D

    稳压管


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
    A

    结型场效应晶体管，简称JFET

    B

    绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

    C

    结型场效应晶体管JGFET

    D

    绝缘栅型场效应晶体管JGFET


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    常用的电子开关有（）。

    • A、继电器
    • B、双极型晶体管
    • C、MOS场效应晶体管
    • D、二极管

    正确答案:B,C,D

  • 第15题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第16题：

    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

    正确答案： 不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    多选题
    常用的电子开关有（）。
    A

    继电器

    B

    双极型晶体管

    C

    MOS场效应晶体管

    D

    二极管


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 发射极
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。

    正确答案： 电力场效应晶体管栅极,以电力晶体管集电极和发射极
    解析： 暂无解析

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