双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

题目

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。

  • A、电压
  • B、电流
  • C、双极型为电压、场效应为电流
  • D、双极型为电流、场效应为电压
相似考题

1.双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

2.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。

3.场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

4.晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

参考答案和解析
正确答案:C
更多“双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。”相关问题

  • 第1题：

    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。


    正确答案:电力场效应晶体管栅极；以电力晶体管集电极和发射极

  • 第2题：

    三极管是电流控制器件，场效应晶体管是（）器件。

    • A、电阻控制
    • B、电压控制
    • C、动态控制
    • D、单项控制

    正确答案:B

  • 第3题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第4题：

    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。


    正确答案:不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能

  • 第5题：

    双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

    • A、均为电压控制
    • B、均为电流控制
    • C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制
    • D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

    正确答案:D

  • 第6题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 集电极
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    多选题
    常用的电子开关有（）。
    A

    继电器

    B

    双极型晶体管

    C

    MOS场效应晶体管

    D

    二极管


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    双极型半导体器件是（）。
    A

    二极管

    B

    晶体管

    C

    场效应晶体管

    D

    稳压管


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
    A

    结型场效应晶体管，简称JFET

    B

    绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

    C

    结型场效应晶体管JGFET

    D

    绝缘栅型场效应晶体管JGFET


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。


    正确答案:电流；电压

  • 第14题：

    常用的电子开关有（）。

    • A、继电器
    • B、双极型晶体管
    • C、MOS场效应晶体管
    • D、二极管

    正确答案:B,C,D

  • 第15题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第16题：

    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

    正确答案： 不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 发射极
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。

    正确答案： 电力场效应晶体管栅极,以电力晶体管集电极和发射极
    解析： 暂无解析

相关内容