更多“MOS管”相关问题
  • 第1题:

    一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。

    • A、二极管
    • B、负载电容
    • C、负载电感
    • D、有源负载

    正确答案:D

  • 第2题:

    静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。


    正确答案:触发器;电容

  • 第3题:

    场效应管的类型有()。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第4题:

    UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第5题:

    N沟道MOS管,VGS越向正值方向增大,ID越()


    正确答案:

  • 第6题:

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第7题:

    UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第8题:

    MOS场效应管的输入电流为()。


    正确答案:0

  • 第9题:

    MOS管


    正确答案: 是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。

  • 第10题:

    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。


    正确答案:正确

  • 第11题:

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?

    正确答案: MOSFET本征电容包括:栅-衬电容CGB;栅-源电容CGS;栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括:栅-源、栅-漏覆盖电容;栅-衬底覆盖电容;源、漏区pn结势垒电容。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    单极型集成电路不包含().

    • A、普通晶体管(NPN管或PNP管)
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS(即CMOS)

    正确答案:A

  • 第14题:

    结型场效应管的类型有()。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第15题:

    MOS种类分为?()

    • A、P沟道场管
    • B、Q沟道场管
    • C、D沟道场管
    • D、N沟道场管

    正确答案:A,D

  • 第16题:

    MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。


    正确答案:正确

  • 第17题:

    功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。


    正确答案:驱动功率小;控制电路简单;工作效率高的特点

  • 第18题:

    对于耗尽MOS管,VGS可以为()。


    正确答案:可正可负

  • 第19题:

    某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第20题:

    当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第21题:

    在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。

    • A、互补MOS与非门电路
    • B、CMOS与非门电路

    正确答案:A

  • 第22题:

    CMOS反相器基本电路包括()

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第23题:

    名词解释题
    MOS管

    正确答案: 是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。
    A

    互补MOS与非门电路

    B

    CMOS与非门电路


    正确答案: B
    解析: 暂无解析