第1题:
一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。
第2题:
静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。
第3题:
场效应管的类型有()。
第4题:
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
第5题:
N沟道MOS管,VGS越向正值方向增大,ID越()
第6题:
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
第7题:
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。
第8题:
MOS场效应管的输入电流为()。
第9题:
MOS管
第10题:
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。
第11题:
高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
第12题:
第13题:
单极型集成电路不包含().
第14题:
结型场效应管的类型有()。
第15题:
MOS种类分为?()
第16题:
MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。
第17题:
功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。
第18题:
对于耗尽MOS管,VGS可以为()。
第19题:
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
第20题:
当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。
第21题:
在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。
第22题:
CMOS反相器基本电路包括()
第23题:
第24题:
互补MOS与非门电路
CMOS与非门电路