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  • 第1题:

    开关型稳压电源的半导体管工作在开关状态,管耗小、效率高。


    正确答案:正确

  • 第2题:

    放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在。
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:B

  • 第3题:

    某半导体型号标明为3AD50C,其含义表示()。

    • A、锗材料PNP型管
    • B、低频大功率管
    • C、硅材料NPN型管
    • D、A和B

    正确答案:D

  • 第4题:

    在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。

    • A、地波传播
    • B、天波传播
    • C、视距传播

    正确答案:A

  • 第5题:

    半导体高低频管以3MHZ为界限。


    正确答案:正确

  • 第6题:

    低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:A

  • 第7题:

    目前常用的半导体光源有()。

    • A、半导体发光二极管
    • B、半导体发光晶体管
    • C、半导体激光器
    • D、半导体光电二极管

    正确答案:A,C

  • 第8题:

    放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。

    • A、耦合电容和旁路电容的存
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:A,B

  • 第9题:

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第10题:

    半导体功率管大小以1W为界限。


    正确答案:正确

  • 第11题:

    单选题
    在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。
    A

    地波传播

    B

    天波传播

    C

    视距传播


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。
    A

    地波传播

    B

    天波传播

    C

    视距传播

    D

    自由空间传播


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型,点接触型适用于()信号区工作,面接触型适用于()信号区工作。

    • A、低频;低频
    • B、低频;高频
    • C、高频;低频
    • D、高频;高频

    正确答案:C

  • 第14题:

    变动成本定价法是指()

    • A、以变动总成本最低为定价的界限
    • B、以单位变动成本为最低定价界限
    • C、以单位完全成本为最低定价界限
    • D、以单位固定成本为最低定价界限

    正确答案:B

  • 第15题:

    在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。

    • A、地波传播
    • B、天波传播
    • C、视距传播
    • D、自由空间传播

    正确答案:A

  • 第16题:

    半导体器件型号中二极管以()开头。

    • A、1

    正确答案:B

  • 第17题:

    放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适


    正确答案:B;A

  • 第18题:

    根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第19题:

    下列哪些是半导体应变计的优点()。

    • A、灵敏度高
    • B、体积小、耗电省
    • C、横向效应小
    • D、机械滞后小,可测量静态应变、低频应变等

    正确答案:A,B,D

  • 第20题:

    放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:A

  • 第21题:

    导体、半导体和绝缘体三者之间没有绝对界限。()


    正确答案:正确

  • 第22题:

    多选题
    目前常用的半导体光源有()。
    A

    半导体发光二极管

    B

    半导体发光晶体管

    C

    半导体激光器

    D

    半导体光电二极管


    正确答案: D,C
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型,点接触型适用于()信号区工作,面接触型适用于()信号区工作。
    A

    低频;低频

    B

    低频;高频

    C

    高频;低频

    D

    高频;高频


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    某半导体型号标明为3AD50C,其含义表示()。
    A

    锗材料PNP型管

    B

    低频大功率管

    C

    硅材料NPN型管

    D

    A和B


    正确答案: D
    解析: 暂无解析