半导体高低频管以3MHZ为界限。()此题为判断题(对，错)。

题目
半导体高低频管以3MHZ为界限。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.半导体功率管大小以1W为界限。()此题为判断题(对，错)。

2.3、放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是（）。A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适

3.2、在放大电路中，低频段放大倍数降低是由于 （) 的影响造成的。A．耦合电容和旁路电容B．半导体管极间电容和分布电容C．半导体管非线性特性D．静态工作点设置不合适

4.三极管按材料不同可分为硅管和锗管，按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管。（）

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  • 第1题：

    1、型号为“3AX81”的国产三极管的为（）

    A．PNP型锗材料低频小功率管

    B．NPN型锗材料低频小功率管

    C．PNP型硅材料低频小功率管

    D．NPN型硅材料低频小功率管


    PNP

  • 第2题：

    （）的工作频率是3 MHz～30 MHz。

    A．低频电子标签

    B．高频电子标签

    C．超高频电子标签

    D．微波电子标签


    高频电子标签

  • 第3题：

    在放大电路中，低频段放大倍数降低是由于 （) 的影响造成的。

    A．耦合电容和旁路电容

    B．半导体管极间电容和分布电容

    C．半导体管非线性特性

    D．静态工作点设置不合适


    耦合电容和旁路电容

  • 第4题：

    2、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

    A．耦合电容和旁路电容的存在

    B．半导体管极间电容和分布电容的存在

    C．半导体管的非线性特性

    D．放大电路的静态工作点不合适


    A

  • 第5题：

    放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是（）。

    A．耦合电容和旁路电容的存在

    B．半导体管极间电容和分布电容的存在

    C．半导体管的非线性特性

    D．放大电路的静态工作点不合适


    A

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