沟道

题目

沟道

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1.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

2.功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

3.电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

4.功率场效应晶体管一般为()。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

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  • 第1题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第2题：

    排水沟道纵断面设计时，一般要求上级沟道的沟底不低于下级沟道沟底。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第4题：

    场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。

    • A、N沟道和P沟道
    • B、H沟道和P沟道
    • C、N沟道和H沟道
    • D、Y沟道和H沟道

    正确答案:A

  • 第5题：

    平均排除法适用于（）

    • A、丘陵地区的排水沟道
    • B、山区的排水沟道
    • C、平原地区的得排水沟道
    • D、高原区的排水沟道

    正确答案:C

  • 第6题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第7题：

    在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是（）。

    • A、公用主沟道的分支处；
    • B、沟道中通风区段处；
    • C、至控制室的沟道入口处；
    • D、沟道中相隔约100m处。

    正确答案:D

  • 第8题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第9题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第10题：

    填空题
    单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

    正确答案： MOS,N
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。

    正确答案： 干,支,斗,农
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的（）

    正确答案： 安全防护
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是（）。

    A.公用主沟道的分支处； B.沟道中通风区段处；
    C.至控制室的沟道入口处； D.沟道中相隔约100m处.

    答案：D
    解析：

  • 第14题：

    沟道密度


    正确答案: 每平方公里内分布的沟道的总长度。以km/km2表示。

  • 第15题：

    孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的（）


    正确答案:安全防护

  • 第16题：

    排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。


    正确答案:干；支；斗；农

  • 第17题：

    单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。


    正确答案:场效应管（MOS）；N；P

  • 第18题：

    MOS种类分为？（）

    • A、P沟道场管
    • B、Q沟道场管
    • C、D沟道场管
    • D、N沟道场管

    正确答案:A,D

  • 第19题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）

    • A、耗尽型
    • B、增强型
    • C、P沟道
    • D、N沟道

    正确答案:C,D

  • 第21题：

    问答题
    描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

    正确答案： 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应。
    三种机制：
    1.倾斜硅片：它把硅片相对于离子束运动方向倾斜一个角度，保证了杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。
    2.掩蔽氧化层：注入前在硅片表面生长或淀积一薄层氧化层，并在注入之后去除。注入离子通过这样一层非晶氧化层后进入硅片，它们的方向将是随机的，因此可以减小沟道效应。
    3.预非晶化：用电不活泼粒子，使单晶硅预非晶化，在注入前进行，用以损坏硅表面一薄层的单晶结构。随后的离子将注入非晶结构的硅，产生很小的沟道效应。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
    A

    耗尽型

    B

    增强型

    C

    P沟道

    D

    N沟道


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

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