刻蚀及去PSG的目的是什么？

题目

刻蚀及去PSG的目的是什么？

相似考题

1.刻蚀方法有哪些?()A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

2.分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？

3.反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

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  • 第1题：

    干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？


    正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
    干法刻蚀的优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用
    缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备

  • 第2题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第3题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第4题：

    诊断OSAHS的标准手段是（）。

    • A、夜间分段PSG监测
    • B、整夜PSG监测
    • C、午间小睡的PSG监测
    • D、早晨PSG监测

    正确答案:B

  • 第5题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    什么叫离子刻蚀？它的主要作用是什么？

    正确答案： 在10-3Pa的氩气中将生成的Ar+加速至500~1000eV，轰击样品表面，这个过程称为〝离子刻蚀〞。离子刻蚀可清洁样品表面和将表面层剥离掉，可进行纵向分析。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 目的是为涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    刻蚀及去PSG的目的是什么？

    正确答案： 刻蚀的目的：去除边缘的PN结，防止上下短路而造成的并联电阻低。去PSG的目的：去除硅片表面含有磷原子的SIO2层。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 相反

  • 第13题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第14题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第15题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第16题：

    什么叫离子刻蚀？它的主要作用是什么？


    正确答案:在10-3Pa的氩气中将生成的Ar+加速至500~1000eV，轰击样品表面，这个过程称为〝离子刻蚀〞。离子刻蚀可清洁样品表面和将表面层剥离掉，可进行纵向分析。

  • 第17题：

    问答题
    干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？

    正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
    1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
    2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
    3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？

    正确答案： 它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1 
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？

    正确答案： 刻蚀的流程：预抽，主抽，送气，辉光，清洗，预抽，主抽，充气
    去PSG的流程：酸洗（HF），溢流水洗，喷淋，甩干
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

    正确答案： 被刻蚀图形的侧壁形状,各向同性,各向异性
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    光刻和刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？

    正确答案： 目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
    常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述刻蚀的概念及其基本目的

    正确答案： 概念：用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程
    基本目的：在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形 两种基本的刻蚀工艺
    A.干法刻蚀：干法刻蚀是用等离子体去除硅片表面材料，物理过程、化学过程、或两种反应的混合
    B.湿法腐蚀：用液体化学试剂去除硅片表面材料
    解析： 暂无解析

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