二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
第1题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第2题:
硅二极管和导通电压约为().
第3题:
硅管的正向导通电压约为0.7V.
第4题:
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
第5题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第6题:
硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。
第7题:
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
第8题:
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()
第9题:
硅管的门限电压约为()V。
第10题:
0.1;0.2
0.2;0.3
0.5;0.1
0.5;0.4
第11题:
对
错
第12题:
对
错
第13题:
硅半导体二极管的死区电压约为()。
第14题:
硅二极管的正向电压约为0.2V。()
第15题:
硅管的导通电压约为0.3V。
第16题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第17题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第19题:
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
第20题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第21题:
导通后二极管两端电压变小,硅管约为()。
第22题:
对
错
第23题:
对
错