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第1题：
冷轧取向硅钢中，钢中（）与锰生成的夹杂抑制一次晶粒的长大，促使二次再结晶的发展。
- A、硫
- B、磷
- C、碳
正确答案:A -
第2题：
动态再结晶时再结晶后的晶粒度主要取决于（），当静态再结晶时取决于（）。
正确答案:轧制温度、压下率 -
第3题：
二次再结晶是（）
- A、相变过程
- B、形核长大过程
- C、某些晶粒特别长大的现象
正确答案:B -
第4题：
铸件可用再结晶退火细化晶粒
正确答案:错误 -
第5题：
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
正确答案: （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。 -
第6题：
变形度越大，再结晶晶粒越细。
正确答案:错误 -
第7题：
简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
正确答案: 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。 -
第8题：
单选题二次再结晶是指（）A少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
B多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
C晶粒不断成核长大的过程
D少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题试就（1）推动力来源；（2）推动力大小；（3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。正确答案： 晶粒生长——材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程。
推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量。晶粒生长取决于晶界移动的速率。
二次再结晶——（晶粒异常生长或晶粒不连续生长）少数巨大晶体在细晶消耗时成核-长大过程。
推动力：
大、小晶粒表面能的不同。
二次再结晶晶粒长大
不均匀生长均匀生长
不符合D1=d/f符合D1=d/f
气孔被晶粒包裹气孔排除
界面上有应力界面无应力解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题晶粒生长与二次再结晶的区别？正确答案： ①前者胚体内晶粒尺寸均匀生长，服从公式DL∝d/f，而后者是个别晶粒异常生长，不服从该公式。②前者是平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面无应力，而后者的大晶粒界面上有应力存在。③前者气孔都维持在晶界上或晶界交汇处，而后者气孔被包裹到晶核内部。解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题原始晶粒越大，再结晶晶粒越大。（）A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。正确答案： （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。解析： 暂无解析 -
第13题：
晶粒回复过程：回复→晶粒长大→再结晶。
正确答案:错误 -
第14题：
塑性变形后的金属加热时，破碎的晶粒变成了等轴状，说明发生了（）。
- A、结晶
- B、再结晶
- C、重结晶
- D、二次结晶
正确答案:B -
第15题：
在临界变形度范围进行塑性变形再结晶处理时，再结晶晶粒容易特别粗大。
正确答案:正确 -
第16题：
试就（1）推动力来源；（2）推动力大小；（3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。
正确答案: 晶粒生长——材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程。
推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量。晶粒生长取决于晶界移动的速率。
二次再结晶——（晶粒异常生长或晶粒不连续生长）少数巨大晶体在细晶消耗时成核-长大过程。
推动力：
大、小晶粒表面能的不同。
二次再结晶晶粒长大
不均匀生长均匀生长
不符合D1=d/f符合D1=d/f
气孔被晶粒包裹气孔排除
界面上有应力界面无应力 -
第17题：
当温度升高时整齐的晶粒变成破碎的晶粒，短晶粒变成等轴晶粒的过程叫再结晶
正确答案:错误 -
第18题：
当温度升高时破碎的晶粒变成整齐的晶粒，长晶粒变成等轴晶粒的过程叫（）。
- A、结晶
- B、再结晶
- C、回复
正确答案:B -
第19题：
问答题简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。正确答案： 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。正确答案： 1、一次再结晶和二次在结晶。
定义
一次再结晶：冷变形后的金属加热到一定温度，保温足够时间后，在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒，位错密度显著下降，性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平，称为（一次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
二次再结晶：经过剧烈冷变形的某些金属材料，在较高温度下退火时，会出现反常的晶粒长大现象，即少数晶粒具有特别大的长大能力，逐步吞食掉周围的小晶粒，其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍，比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多，这个过程称为二次再结晶。二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大，严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程，并非是再结晶过程。
本质区别：是否有新的形核晶粒。
2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
定义
再结晶晶核长大：是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差，促使晶核界面向畸变区域推进，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心，直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
再结晶后的晶粒长大：是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后，当温度继续升高或延长保温时间，晶粒仍然继续长大的过程。此时，晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心，直至晶界变成平面状，达到界面能最低的稳定状态。
本质区别：
A.长大驱动力不同
B.长大方向不同，即晶界的移动方向不同解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题二次再结晶是（）A相变过程
B形核长大过程
C某些晶粒特别长大的现象
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）A初期
B中期
C后期
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第23题：
名词解释题晶粒生长，二次再结晶正确答案： 晶粒生长：平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。
二次再结晶：是少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。解析： 暂无解析