DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？
题目
DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:
所有的DRAM基本单元都是由一个晶体管和一个电容组成，一个电容可以存储一定的电子或电荷，电容的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，一个充电的电容在数字电路中被认为是逻辑上的1，而未充电的电荷表示逻辑的0，但是电容有一个制性，那就是不能持久的保持存储的电荷，所以内存需要不断的定时刷新，才能保持暂存的数据；当CPU处理信息时，需要将信息存储到RAM中。如果需要将数据“写”到RAM中，则处理器会发出一“写”信号到CPU中，通过系统总线，到达RAM单元。这些RAM单元然后就按行或列地址将这些信息数据存储到指定点的“栅格”中；当CPU需要读取RAM中的数据时，则会向RAM发出请求信号，这些信号中包含地址信息，以确定那些栅格中的位置。
更多“DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？”相关问题
-
第1题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。 -
第2题：
动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？各有什么优缺点？
正确答案:DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的，由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响，系统的存取速度比较高；但有死区，而且存储容量越大，死区就越长。分散方式的特点是没有死区；但它加长了系统的存取周期，降低了整机的速度，且刷新过于频繁，没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区，但比集中方式的死区小得多，而且减少了刷新次数，是比较实用的一种刷新方式。 -
第3题：
动态RAM如何刷新？
正确答案:可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到补充，来完成刷新。 -
第4题：
动态RAM为什么要进行刷新？刷新过程和读操作比较有什么差别？
正确答案:1.因为动态RAM是利用电容的存储作用来保存信息的，但电容由于放电或泄漏，电荷保存时间较短（约2ms），若不及时补充电荷会使存放的数据丢失，因此需定时刷新以补充所需要的电荷。
2.刷新过程是由刷新逻辑电路定时完成的，且每次对所有模块的一行同时刷新，数据不输出，数据总线处于高阻状态。读过程是随机的，每次选中一个存储单元（8位），且数据输出到数据总线上。 -
第5题：
动态RAM为何要刷新？
正确答案:因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所以动态RAM要刷新。 -
第6题：
DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？
正确答案:DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。 -
第7题：
动态RAM为什么需要经常刷新？微机系统如何进行动态RAM的刷新？
正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行刷新。
DRAM的刷新常采用两种方法：一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel8203控制器；二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如Intel2186/2187。 -
第8题：
何谓随机存取存储器RAM？静态RAM和动态RAM的本质区别是什么？动态RAM为什么要刷新？
正确答案: （1）随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
（2）静态RAM和动态RAM的本质区别是静态RAM不需要刷新，而动态RAM需要刷新。
（3）存储在MOS管栅极电容上的信息，由于存在泄漏电阻而栅极电容上的电荷经过一定时间泄放，从而使存储的信息从“1”变为“0”，必须定期对原存信息“1”的单元进行电荷补充。另外，单管动态RAM在读出时，其存储内容受到破坏，属破坏性读出，需要信息再生。所以需要刷新。 -
第9题：
问答题DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？正确答案： 所有的DRAM基本单元都是由一个晶体管和一个电容组成，一个电容可以存储一定的电子或电荷，电容的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，一个充电的电容在数字电路中被认为是逻辑上的1，而未充电的电荷表示逻辑的0，但是电容有一个制性，那就是不能持久的保持存储的电荷，所以内存需要不断的定时刷新，才能保持暂存的数据；当CPU处理信息时，需要将信息存储到RAM中。如果需要将数据“写”到RAM中，则处理器会发出一“写”信号到CPU中，通过系统总线，到达RAM单元。这些RAM单元然后就按行或列地址将这些信息数据存储到指定点的“栅格”中；当CPU需要读取RAM中的数据时，则会向RAM发出请求信号，这些信号中包含地址信息，以确定那些栅格中的位置。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？正确答案： DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？各有什么优缺点？正确答案： DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的，由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响，系统的存取速度比较高；但有死区，而且存储容量越大，死区就越长。分散方式的特点是没有死区；但它加长了系统的存取周期，降低了整机的速度，且刷新过于频繁，没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区，但比集中方式的死区小得多，而且减少了刷新次数，是比较实用的一种刷新方式。解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。ARAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
BSRAM的集成度比DRAM高
CDRAM的存取速度比SRAM快
DDRAM中存储的数据无须“刷新”
正确答案： A解析：
RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，DRAM集成度比SRAM高，SRAM比DRAM存储速度快，DRAM数据要经常刷新。 -
第13题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。 -
第14题：
动态RAM为何要刷新？如何刷新？
正确答案: 因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所以动态RAM要刷新；
可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到补充，来完成刷新。 -
第15题：
静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么？动态RAM为什么需要刷新？进行刷新需要外部提供什么条件？
正确答案:静态 RAM的存储元件是触发器，动态RAM的存储元件是电容。动态RAM的基本存储单元是靠电容上有无电荷表示存1或存0的。虽然基本存储单元中的MOS管是一种高阻抗器件，但不可能将阻抗做到无穷大，因此电容上的电荷经过一段时间就会泄漏掉，使“1”信息变成“0”，所以要周期性地进行信息重新写入，也就是要刷新。刷新一般采用“仅行地址有效”的方法，需要外部提供有效行地址，选中相应一行，同时，令列地址无效，即关闭所有的列选通管。刷新需由刷新控制器控制。 -
第16题：
动态RAM需要经常刷新的理由是什么？微机系统如何进行动态RAM的刷新？
正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行刷新。
D.RAM的刷新常采用两种方法：一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel8203控制器；二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如Intel2186/2187。 -
第17题：
DRAM为什么需要定时刷新？
正确答案:DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。 -
第18题：
为什么动态RAM需要定时刷新？
正确答案:DRAM的存储元以电容来存储信息，由于存在漏电现象，电容中存储的电荷会逐渐泄漏，从而使信息丢失或出现错误。因此需要对这些电容定时进行“刷新”。 -
第19题：
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）
- A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类
- B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下
- C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里
- D、DRAM需要不断刷新
正确答案:C -
第20题：
DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？
正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。 -
第21题：
问答题DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题DRAM为什么需要定时刷新？正确答案： DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。A没有区别
BEDO RAM比FPM DRAM的快
CFPM DRAM比EDO RAM的快
DEDO RAM比FPM DRAM小
EFPM DRAM比EDO RAM价格高
正确答案： C解析： 暂无解析