MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）

题目

MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）

  • A、栅极（G）
  • B、漏极D.
  • C、C.基极
  • D、源极（S）
相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.晶体三极管有三个电极，分别为基极、（）和集电极。

3.晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和（）。

4.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

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  • 第1题：

    单结晶体管有（）。

    • A、两个PN结，三个电极
    • B、一个PN结，三个电极
    • C、三个PN结，二个电极
    • D、三个PN结，三个电极

    正确答案:B

  • 第2题：

    MOS管


    正确答案:是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。

  • 第3题：

    MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。

    • A、基极
    • B、集电极
    • C、发射集
    • D、发射极或集电极

    正确答案:A

  • 第4题：

    MOS管在不使用时应避免（）极悬空，务必将各电极短接。


    正确答案:栅

  • 第5题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第6题：

    MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第8题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第9题：

    单选题
    单结晶体管有（）。
    A

    两个PN结，三个电极

    B

    一个PN结，三个电极

    C

    三个PN结，二个电极

    D

    三个PN结，三个电极


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。

    正确答案： 空穴,受主离子,耗尽区
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    晶闸管有（）。
    A

    三个电极两个PN结

    B

    三个电极三个PN结

    C

    两个电极三个PN结

    D

    两个电极两个PN结


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）
    A

    栅极（G）

    B

    漏极D.

    C

    C.基极

    D

    源极（S）


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第14题：

    单结晶体管有三个电极，符号与三极管一样。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。

    • A、基极
    • B、集电极
    • C、发射极
    • D、发射极或集电极

    正确答案:A

  • 第16题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第18题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第21题：

    问答题
    MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

    正确答案： 短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象
    影响： 由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?

    正确答案： 在单阱工艺的MOS器件中（P阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结，两个PN结串联组成PNPN结构，即两个寄生三极管（NPN和PNP），一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通，两者的正反馈使得电流积聚增加，产生自锁现象。
    影响：产生自锁后，如果电源能提供足够大的电流，则由于电流过大，电路将被烧毁。
    解析： 暂无解析

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