硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V

题目

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）

  • A、0.6V；0.6V
  • B、0.6V；0.1V
  • C、0.1V；0.6V
  • D、0.1V；0.1V
相似考题

1.硅二极管的死区电压约为()伏。A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

2.一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()此题为判断题(对，错)。

3.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

4.锗二极管的死区电压约为()伏。A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

参考答案和解析
正确答案:B
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  • 第1题：

    一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第2题：

    二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。

    A.0.10.2
    B.0.20.3
    C.0.50.1
    D.0.50.4

    答案：C
    解析：
    这个一定数值的正向电压称为开启电压，其大小与材料及环境温度有关。通常硅管的开启电压约为0.5V，锗管约为0.1V。

  • 第3题：

    硅半导体二极管的死区电压约为（）。

    • A、0.2V
    • B、1.2V
    • C、0.5V
    • D、1.5V

    正确答案:C

  • 第4题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第5题：

    锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V


    正确答案:0.2；0.3

  • 第6题：

    硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第7题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第8题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第9题：

    二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。


    正确答案:单；0.1；0.5

  • 第10题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第11题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

  • 第12题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。

    A. 0.2，0.7

    B. 0.5，0.2

    C. 0.7， 1.0


    参考答案:B 

  • 第14题：

    为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
    二极管的基本结构是PN结，给PN结加上正向电压，即将电源的正极接P区，负极接N区。由于外加电场方向与PN结的结电场方向相反，因此大大削弱了结电场，使两区中的多数载流子极易通过PN结，在电路中形成较大的电流，PN结处于导通状态。反之，给PN结加上反向电压，由于外加电场的方向与PN结的结电场方向相同，因而结电场被大大加强，使两区中的多数载流子更不容易通过PN结，而只利于少数载流子通过。由于少数载流子的数量很少，在电路中形成很小的反向漏电流，通常把它忽略不计，看作处于截止状态。
    综上所述，PN结外加正向电压时导通，加反向电压时截止，所以PN结也就使二极管具有单向导电特性。
    硅二极管的正向电压为0.7V，锗二极管的正向电压为0.3V。
    略

  • 第15题：

    硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    硅二极管的死区电压约为（）。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第17题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第18题：

    什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

  • 第19题：

    硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。


    正确答案:0.6V；0.2V

  • 第21题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第22题：

    为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？


    正确答案: 二极管的基本结构是PN结，给PN结加上正向电压，即将电源的正极接P区，负极接N区。由于外加电场方向与PN结的结电场方向相反，因此大大削弱了结电场，使两区中的多数载流子极易通过PN结，在电路中形成较大的电流，PN结处于导通状态。
    反之，给PN结加上反向电压，由于外加电场的方向与PN结的结电场方向相同，因而结电场被大大加强，使两区中的多数载流子更不容易通过PN结，而只利于少数载流子通过。但少数载流子的数量很少，在电路中形成很小的反向漏电流，通常把它忽略不计，看作处于截止状态。
    综上所述，PN结外加正向电压时导通，加反向电压时截止，所以PN结也就是二极管具有单向导电特性。
    硅二极管的正向电压为0.7V，锗二极管的正向电压为0.3V。

  • 第23题：

    填空题
    硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。

    正确答案： 0.5,0.2
    解析： 暂无解析

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