在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第1题:
第2题:
二极管导通状态描述错误的是()
第3题:
晶体二极管的特性,只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。
第4题:
硅二极管两端加上正向电压时()。
第5题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第6题:
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
第7题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第8题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第9题:
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
第10题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第11题:
0.1
0.3
0.5
0.7
第12题:
0.5V
0.7V
0.1V
0.3V
第13题:
A.0.1
B.0.3
C.0.5
D.0.7
第14题:
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
第15题:
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。
第16题:
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
第17题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第19题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第20题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第21题:
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
第22题:
1V
0.2V
0.6V
第23题: