参考答案和解析
正确答案:正确
更多“QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。”相关问题
  • 第1题:

    在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第2题:

    直流单臂电桥测量小电阻时,不能排除(),而直流双臂电桥则可以。

    • A、接线电阻及接触电阻
    • B、接线电阻及桥臂电阻
    • C、桥臂电阻及接触电阻
    • D、桥臂电阻及导线电阻

    正确答案:A

  • 第3题:

    QS1型交流电桥在使用时采用正接线方法,是使被试设备()对地绝缘,电桥处于(),试验电压不受电桥绝缘水平限制,易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响,抗干扰性强,被广泛使用.

    • A、两端、高电位
    • B、两端、低电位
    • C、一端、低电位
    • D、一端、高电位

    正确答案:B

  • 第4题:

    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。


    正确答案:错误

  • 第5题:

    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。

    • A、低
    • B、高
    • C、相等

    正确答案:B

  • 第6题:

    电桥根据工作桥臂个数可以分为().

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、全桥
    • D、输出对称电桥

    正确答案:A,B,C

  • 第7题:

    QS1型交流电桥在使用时有通常有以下()接线方法

    • A、正接线
    • B、反接线
    • C、侧接线
    • D、低压接线

    正确答案:A,B,C,D

  • 第8题:

    用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些?


    正确答案: 用QS1型西林电桥测tgδ的操作要点如下:
    (1)接线经检查无误后,将各旋钮置于零位,确定分流器档位;
    (2)接通光源,加试验电压,并将“+tgδ”转至“接通I”位置;
    (3)增加检流计灵敏度,旋转调谐钮,找到谐振点,再调R3、C4使光带缩小;
    (4)提高灵敏度,再按顺序反复调节R3、C4及P,使灵敏度达最大时光带最小,直至电桥平衡;
    (5)读取电桥测量读数,将检流计灵敏度降至零位,降下试验电压,切断电源,将高压接地放电。

  • 第9题:

    简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。


    正确答案: 检流计G,可调电阻R3,可调电容C4,固定电阻R4,分流器N。

  • 第10题:

    使用直流单臂电桥进行测量时,接线要注意(),线头必须(),否则影响测量(),而且使电桥处于()状态,有损坏检流计的可能。


    正确答案:极性;拧紧;精度;不稳定

  • 第11题:

    单选题
    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。
    A

    B

    C

    相等


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    判断题
    在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    用直流电桥测量电阻时,其测量结果中,()。

    • A、单臂电桥应考虑接线电阻,而双臂电桥不必考虑;
    • B、双臂电桥应考虑接线电阻,而单臂电桥不必考虑;
    • C、单、双臂电桥均应考虑接线电阻;
    • D、单、双臂电桥均不必考虑接线电阻。

    正确答案:A

  • 第14题:

    QS1电桥反接线时()都处于高电位情况。


    正确答案:桥体内各桥臂及部件

  • 第15题:

    西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。

    • A、大电流
    • B、高电压
    • C、强电场
    • D、磁场

    正确答案:C

  • 第16题:

    QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及()。

    • A、标准电容器
    • B、标准电感
    • C、标准电阻

    正确答案:A

  • 第17题:

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?


    正确答案: 小电容(小于500pF)试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳(垫绝缘)的介质损耗因数,测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉(电桥正接线测量时,接地点是电桥的屏蔽点)。为了在现场测试方便,可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数,便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷,而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小,而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大,也就对测量结果(反接线测量的综合介质损耗因数)有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰,测量误差较小的特点,一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第18题:

    QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法,是使被试设备()接地。测量时电桥上于(),试验电压受电桥绝缘水平限制,高压端对地杂散电流不易消除,抗干扰性差。

    • A、两端、高电位
    • B、两端、低电位
    • C、一端、低电位
    • D、一端、高电位

    正确答案:D

  • 第19题:

    测试介质损失角正切时,QS1型西林电桥有()种接线方式。

    • A、二
    • B、三
    • C、四
    • D、五

    正确答案:B

  • 第20题:

    用QS1型西林电桥测tgδ,消除电场干扰的方法有哪些?


    正确答案: 消除电场干扰方法有以下5种:
    (1)使用移相器消除干扰法;
    (2)用选相倒相法;
    (3)在被试品上加屏蔽环或罩,将电场干扰屏蔽掉;
    (4)用分级加压法;
    (5)桥体加反干扰源法。

  • 第21题:

    用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些?


    正确答案: 用QS1型西林电桥测tgδ的操作要点如下:
    (1)接线经检查无误后,将各旋钮置于零位,确定分流器档位;
    (2)接通光源,加试验电压,并将“+tgδ”转至“接通I”位置;
    (3)增加检流计灵敏度,旋转调谐钮,找到谐振点,再调R3、C4使光带缩小;
    (4)提高灵敏度,再按顺序反复调节R3、C4及P,使灵敏度达最大时光带最小,直至电桥平衡;
    (5)读取电桥测量读数,将检流计灵敏度降至零位,降下试验电压,切断电源,将高压接地放电。

  • 第22题:

    判断题
    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析