外延结晶
题目
外延结晶
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第1题：
每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )A.内涵越大，外延越大
B.内涵越小，外延越小
C.内涵越大，外延越小
D.内涵越小，外延越大答案：C,D解析：概念的内涵是指概念的质，即概念所反映的事物的本质特征。外延是指概念的量，即概念的范围。如“脊椎动物”这个概念的内涵是有生命和有脊椎，它的外延包括一切有脊椎的动物。而“鸟”这个概念的内涵除了有生命和有脊椎之外，还有有羽毛、无齿有喙等，它的外延只是一切鸟类。“鸟”的内涵相对“脊椎动物”增加了，而它的外延却变小了。 -
第2题：
什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。 -
第3题：
解释：语文学习的外延和生活的外延相等
正确答案: 美国教育家科勒斯涅克：“语文学习的外延和生活的外延相等。”首先，任何一个人的语文学习和语文活动，都不是从学校教育才开始的。儿童在入学之前就已经进行了长期的语言实践活动。语文教学一开始，就是在课外活动的基础上进行的。其次，学校教育时期的语文学习，远不限于课内，还广泛的存在于课外、家庭和社会活动中。而且随着学生年龄的增长，语文活动的范围和水平也不断的扩大和提高，对课堂教学也不断的提出了新的需求。课堂上学到的规律性的知识和能力，要在课外活动中应用、检验和强化，并得到扩展和延伸。所以任何一个阶段的语文课堂教学，都是在语文课外活动的基础上进行的。或者说，课外活动永远是课堂教学的背景。最后，对任何一个人来说，学校教育的结束都不意味着语文教育的结束，而是进入了在更广阔的领域里独立的进行语文活动和语文学习的时期。就这个意义上来说，语文教育对任何一个人都是终身教育，而学习方式在大多数情况下是非课堂形式。 -
第4题：
概念的内涵和外延之间的关系是（）。
- A、概念的内涵越深其外延越广
- B、概念的内涵越浅其外延越广
- C、概念所包含的属性越多其外延越广
- D、概念所包含的属性越少其外延越广
正确答案:B,D -
第5题：
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
正确答案:大于；小于 -
第6题：
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
正确答案:正确 -
第7题：
教育法律法规的外延大于教育法律规范的外延。
正确答案:正确 -
第8题：
填空题“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。正确答案： 大于,小于解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？正确答案： （1）液相外延：采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；
（2）气相外延：使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程；
（3）分子束外延：在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。解析： 暂无解析 -
第10题：
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延正确答案： 气相,气束解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题放疗子宫颈癌的B点定义为（）。AA点水平向外延伸3cm
BA点水平向外延伸4cm
CA点水平向外延伸5cm
D子宫中心轴外延伸3cm
E子宫中心轴外延伸4cm
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题要讲清楚一个概念，正确的方法是（）。A尽量减小外延，扩大内涵
B尽量减小外延和内涵
C尽量扩大外延，减小内涵
D尽量扩大外延和内涵
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第13题：
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
正确答案:化学气相；液相；原子束外延 -
第14题：
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
正确答案:化学气相；液相；分子束 -
第15题：
划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。
正确答案:多出子项；划分不全 -
第16题：
讲清概念的方法是（）。
- A、扩大外延、扩大内涵
- B、扩大外延，减少内涵
- C、减少外延、减少内涵
- D、减少外延，扩大内涵
正确答案:D -
第17题：
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
正确答案: 固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化，而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点，非晶区以固相外延方式生长后，位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶（a/C.界面的缺陷称为射程末端（EOR，End-of-RangE.缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于a/c界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。若位错环位于PN结耗尽区附近，会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散，使位错环处于高掺杂区，同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。 -
第18题：
异地高考的外延小于高考移民的外延。
正确答案:错误 -
第19题：
问答题异质外延对衬底和外延层有什么要求？正确答案： 对于B/A型的异质外延，在衬底A上能否外延生长B，外延层B晶格能否完好，受衬底A与外延层B的兼容性影响。衬底与外延层的兼容性主要表现在三个方面：
其一，衬底A与外延层B两种材料在外延温度不发生化学反应，不发生大剂量的互溶现象。即A和B的化学特性兼容；
其二，衬底A与外延层B的热力学参数相匹配，这是指两种材料的热膨胀系数接近，以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，因热膨胀产生残余应力，在B/A界面出现大量位错。当A、B两种材料的热力学参数不匹配时，甚至会发生外延层龟裂现象。
其三，衬底与外延层的晶格参数相匹配，这是指两种材料的晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格结构及参数的不匹配引起B/A界面附近晶格缺陷多和应力大的现象。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？正确答案： 在超高真空中（气压<10-6Pa），通过精确控制各组分元素的分子束流，喷射到一定温度的基片表面，并在基片表面实现薄膜与基片的共格外延生长。
若外延层与基片为同种材料，则称为同质外延，如在单晶硅上的硅外延层等；若外延层与基片为不同材料，则称为异质外延，如蓝宝石上外延硅层等。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题讲清概念的方法是（）。A扩大外延、扩大内涵
B扩大外延，减少内涵
C减少外延、减少内涵
D减少外延，扩大内涵
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。正确答案： 多出子项,划分不全解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析