MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
第1题:
A、栅极电流
B、栅源电压
C、源极电压
D、源极电流
第2题:
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。
第3题:
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
第4题:
场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
第5题:
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应()
第6题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。
第7题:
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
第8题:
场效应管共漏极放大电路的信号是从()
第9题:
IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()
第10题:
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
第11题:
高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
第12题:
栅极(G)
漏极D.
C.基极
源极(S)
第13题:
A.原极;
B.漏极;
C.栅极;
第14题:
一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。
第15题:
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.
第16题:
MOS管的栅极可与双极型三极管的()相对应。
第17题:
MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。
第18题:
MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()
第19题:
场效应管是通过()改变漏极电流的。
第20题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。
第21题:
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制的。
第22题:
功率场效应管的三个引脚符号为()
第23题:
栅极电流
栅源电压
漏源电压
栅漏电压